L'énergie renouvelable permet à GeneSiC Semiconductor de gagner 1,5 million de dollars du département américain de l'Énergie

DULLES, Virginie, Novembre 12, 2008 – Le département américain de l'Énergie a accordé à GeneSiC Semiconductor deux subventions distinctes totalisant 1,5 million de dollars pour le développement de carbure de silicium haute tension (SiC) dispositifs qui serviront de catalyseurs clés pour le vent- et l'intégration de l'énergie solaire au réseau électrique national.

« Ces récompenses démontrent la confiance du DOE dans les capacités de GeneSiC, ainsi que son engagement envers les solutions énergétiques alternatives,» note le Dr. Ranbir Singh, président de GeneSiC. « Un intégré, Un réseau électrique efficace est essentiel pour l'avenir énergétique de la nation - et les dispositifs SiC que nous développons sont essentiels pour surmonter les inefficacités des technologies silicium conventionnelles.

Le premier prix est une subvention SBIR Phase II de 750 000 $ pour le développement de, dispositifs bipolaires SiC ultra haute tension. La seconde est une subvention STTR Phase II de 750 000 $ pour le développement de commutateurs SiC haute puissance à porte optique.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération capable de gérer 10 fois la tension et 100 fois le courant du silicium, ce qui le rend idéalement adapté aux applications de haute puissance telles que les énergies renouvelables (éolien et solaire) installations et systèmes de contrôle du réseau électrique.

Spécifiquement, les deux prix sont pour:

  • Développement de la haute fréquence, arrêt de porte SiC multi-kilovolts (GTO) appareils d'alimentation. Les applications gouvernementales et commerciales incluent les systèmes de gestion de l'énergie et de conditionnement pour les navires, l'industrie des services publics, et imagerie médicale.
  • Conception et fabrication de haute tension à déclenchement optique, dispositifs de commutation SiC haute puissance. L'utilisation de fibres optiques pour commuter l'alimentation est une solution idéale pour les environnements en proie à des interférences électromagnétiques (EMI), et les applications qui nécessitent des ultra hautes tensions.

Les dispositifs SiC que GeneSiC développe servent une variété de stockage d'énergie, réseau électrique, et applications militaires, qui reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et rentables.

Basé en dehors de Washington, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, transistors à effet de champ (FET) et appareils bipolaires, ainsi que des particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a des contrats principaux/sous-traités avec les principales agences gouvernementales américaines, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, Marine, DARPA, et le Département de la sécurité intérieure. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, fabrication, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique. pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, veuillez visiter www.genesicsemi.com.

GeneSiC Semiconductor reçoit plusieurs subventions SBIR et STTR du département américain de l'Énergie

DULLES, Virginie, Octobre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovateur en plein essor de la haute température, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique (SiC) dispositifs, a annoncé qu'il a reçu trois subventions distinctes pour les petites entreprises du département américain de l'Énergie au cours de l'exercice 07. Les subventions SBIR et STTR seront utilisées par GeneSiC pour démontrer de nouveaux dispositifs SiC haute tension pour une variété de stockage d'énergie, réseau électrique, applications de physique à haute température et haute énergie. Les applications de stockage d'énergie et de réseau électrique reçoivent une attention croissante alors que le monde se concentre sur des solutions de gestion de l'énergie plus efficaces et rentables.

“Nous sommes satisfaits du niveau de confiance exprimé par divers bureaux du département américain de l'énergie à l'égard de nos solutions d'appareils haute puissance.. L'injection de ce financement dans nos programmes de technologie SiC avancée se traduira par une ligne de dispositifs SiC de pointe,” a commenté le Président de GeneSiC, Docteur. Ranbir Singh. “Les dispositifs développés dans ces projets promettent de fournir une technologie habilitante essentielle pour soutenir un réseau électrique plus efficace, et ouvrira la porte à une nouvelle technologie matérielle commerciale et militaire qui n'a pas été réalisée en raison des limites des technologies contemporaines à base de silicium.”

Les trois projets comprennent:

  • Un nouveau prix SBIR Phase I axé sur les courants forts, dispositifs multi-kV à base de thyristors orientés vers les applications de stockage d'énergie.
  • Un prix de suivi de phase II SBIR pour le développement de dispositifs d'alimentation SiC multi-kV pour les alimentations haute tension pour les applications de systèmes RF haute puissance décerné par le DOE Office of Science.
  • Un prix STTR Phase I axé sur la haute tension à déclenchement optique, dispositifs de puissance SiC haute fréquence pour les environnements riches en interférences électromagnétiques, y compris les systèmes d'énergie RF haute puissance, et systèmes d'armes à énergie dirigée.

Avec les récompenses, GeneSiC a récemment déménagé ses activités dans un laboratoire agrandi et un immeuble de bureaux à Dulles, pourcentage de réduction de la consommation d'électricité grâce à une efficacité accrue dans la fourniture d'énergie électrique, moderniser considérablement son équipement, infrastructure et est en train d'ajouter du personnel clé supplémentaire.

“GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients, sauvegarder cela avec l'accès à une vaste suite de fabrication, installations de caractérisation et d'essais,” a conclu le Dr. Singh. “Nous pensons que ces capacités ont été effectivement validées par le DOE américain avec ces nouvelles récompenses et les suivantes.”

Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitant www.genesicsemi.com.