Mataas na Boltahe, Reverse Recovery-free Sic Schotky Diodes upang kritikal na paganahin ang Solar Inverters at Mataas na Boltahe pagtitikas sa pamamagitan ng nag-aalok ng pinakamaliit na form ibabaw kakayahan mount kakayahan
Dulles, Virginia., Nobyembre 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon ibinalita ang agarang availability ng isang pamilya ng Industriya-standard SMB (JEDEC DO-214AA) pakete SiC Rectifiers sa 650 – 3300 V saklaw. Inkorporada ang mga mataas na boltahe, i-reverse ang pagbawi-free, mataas na dalas at mataas na temperatura na may kakayahang SiC Diodes ay dagdagan ang kahusayan ng conversion kahusayan at mabawasan ang laki / timbang / dami ng multi-kV assemblies. Ang mga produktong ito ay target patungo sa Micro-solar inverters pati na rin ang boltahe multiplier circuits na ginagamit sa isang malawak na hanay ng X-Ray, Laser at particle generator kapangyarihan supplies.
Kontemporaryo Micro-solar inverters at boltahe multiplier circuits ay maaaring magdusa mula sa mababang circuit kahusayan at malaking laki dahil ang reverse pagbawi kasalukuyang mula sa Silicon rectifiers. Sa mas mataas na rectifier junction temperatura, sitwasyon na ito ay nagiging mas masahol pa dahil ang reverse pagbawi kasalukuyang sa Silicon rectifiers ay nagdaragdag sa temperatura. Sa thermally hadlang mataas na boltahe assemblies, junction temperatura tumaas lubos madali kahit na kapag disente kasalukuyang ay lumipas. Mataas na Boltahe SiC rectifiers nag-aalok ng natatanging mga katangian na pangako upang i-rebolusyon ang micro-solar inverters at mataas na boltahe pagtitiyak. GeneSiC ni 650 V/1 A; 1200 V/2 A at 3300 V/0.3 Isang Schotky rectifiers tampok zero reverse pagbawi kasalukuyang na hindi nagbabago sa temperatura. Ang 3300 V-rated aparato nag-aalok ng relatibong mataas na boltahe sa isang solong aparato ay nagbibigay-daan sa isang pagbabawas sa mga yugto ng multiplikasyon na kinakailangan sa karaniwang mataas na boltahe generator circuits, sa pamamagitan ng paggamit ng mas mataas na AC input boltahe. Ang malapit sa ideal na mga katangian ng paglipat ay nagpapahintulot sa pag aalis / dramatikong pagbabawas ng boltahe pagbabalanse ng mga network at snubber circuit. Ang SMB (DO-214AA) overmolded pakete tampok industriya-standard form na kadahilanan para sa ibabaw bundok assemblies.
"Ang mga produktong ito ay nagmumula sa maraming taon ng patuloy na pagsisikap sa geneSiC patungo sa pag-aalok ng mga aparato at pakete. Kami ay naniniwala na ang SMB form kadahilanan ay isang mahalagang iba't-ibang para sa Micro Solar Inverter at Voltage Multiplier market, at ay magbibigay daan sa makabuluhang mga benepisyo sa aming mga customer. GeneSic's mababang VF, mababang capacitance Sic Schotky Rectifiers at pinabuting SMB pakete ay nagbibigay-kakayahan sa break na ito produkto” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.
1200 V/2 Isang SMB Sic Schottky Diode (GB02SLT12-214) Mga Teknikal na Tampok
- Karaniwang VF = 1.5 V
- Tjmax = 175oC
- I-reverse ang Charge = 14 nC.
3300 V/0.3 Isang SMB Sic Schotky Diode (GAP3SLT33-214) Mga Teknikal na Tampok
- Karaniwang VF = 1.7 V
- Tjmax = 175oC
- I-reverse ang Charge = 52 nC.
650 V/1 Isang SMB Sic Schottky Diode (GB01SLT06-214) Mga Teknikal na Tampok
- Karaniwang VF = 1.5 V
- Tjmax = 175oC
- I-reverse ang Charge = 7 nC.
Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, Rohs kumplikadong SMB (DO-214AA) mga pakete. Teknikal na Suporta at SPICE circuit modelo ay inaalok. Ang mga device ay agad makukuha mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSic.
Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.
GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.
Para sa karagdagang impormasyon, Bisitahin lamang ang https://192.168.88.14/indeks.php/sic-produkto /schottky
