Silicon Carbide Schottky Rectifiers pinalawig sa 3300 Mga rating ng Volt

Mataas na Boltahe assembly upang makinabang mula sa mga mababang capacitance rectifiers na nag aalok ng temperatura-independent zero reverse recovery currents sa nakahiwalay na mga pakete

Magnanakaw Ilog Falls/Dulles, Virginia., Mayo 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ipahayag ang agarang availability ng 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – ang GAP3SLT33-220FP. Ang natatanging produktong ito ay kumakatawan sa pinakamataas na boltahe SiC rectifier sa merkado, at ay partikular na target patungo boltahe multiplier circuits at mataas na boltahe assembly na ginagamit sa isang malawak na hanay ng X-Ray, Laser at particle generator kapangyarihan supplies.3300 V SiC Schottky diode GeneSiC

Kontemporaryong boltahe multiplier circuits magdusa mula sa mababang circuit efficiencies at malalaking sukat dahil ang reverse recovery currents mula sa Silicon rectifiers discharge ang parallel konektado capacitors. Sa mas mataas na rectifier junction temperatura, sitwasyon na ito ay nagiging mas masahol pa dahil ang reverse pagbawi kasalukuyang sa Silicon rectifiers ay nagdaragdag sa temperatura. Sa thermally hadlang mataas na boltahe assemblies, junction temperatura tumaas lubos madali kahit na kapag disente kasalukuyang ay lumipas. Mataas na Boltahe SiC rectifiers nag aalok ng mga natatanging katangian na nangangako upang revolutionize ang mataas na boltahe assemblies. GeneSiC ni 3300 V/0.3 Isang Schotky rectifiers tampok zero reverse pagbawi kasalukuyang na hindi nagbabago sa temperatura. Ito medyo mataas na boltahe sa isang solong aparato ay nagbibigay daan sa isang pagbabawas sa boltahe pagpaparami yugto kinakailangan sa tipikal na mataas na boltahe generator circuits, sa pamamagitan ng paggamit ng mas mataas na AC input boltahe. Ang malapit sa ideal na mga katangian ng paglipat ay nagpapahintulot sa pag aalis / dramatikong pagbabawas ng boltahe pagbabalanse ng mga network at snubber circuit. Ang TO-220 Full Pack overmolded isolated package ay nagtatampok ng industry standard form factor na may nadagdagan pin spacing in through hole assemblies.3300 V SiC Schottky diode SMB GeneSiC

"Ang pag aalok ng produktong ito ay nagmula sa mga taon ng napapanatiling pagsisikap sa GeneSiC. Naniniwala kami na ang 3300 V rating ay isang key differentiator para sa mataas na boltahe generator market, at ay magbibigay daan sa makabuluhang mga benepisyo sa aming mga customer. GeneSic's mababang VF, mababang capacitance SiC Schottky Rectifiers ay nagbibigay daan sa breakthrough na ito produkto” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

3300 V / 0.3 Isang SiC Rectifier Mga Highlight ng Teknikal

  • On-state Drop ng 1.7 V sa 0.3 Isang
  • Positibong temperatura kape sa VF
  • Tjmax = 175oC
  • Singil sa capacitive 52 nC (karaniwang).

Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga rating at bahay sa Halogen-Free, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Buong Pack) mga pakete. Ang mga aparato ay agad na magagamit mula sa Awtorisadong Distributor ng GeneSiC, Digikey.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, bisitahin mo na lang www.genesicsemi.com