Mataas na temperatura (210 C) SiC Junction Transistors inaalok sa kanyang mga pakete ng pakete

Ang pangako ng mataas na temperatura sa SiC Transistors natanto sa pamamagitan ng compatible industriya-standard na pakete ay kritikal na mapahusay downhole at aerospace actuators at kapangyarihan supplies

Dulles, Virginia., Disyembre 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon ibinalita ang agarang availability sa pamamagitan ng kanyang mga distributor at direktang isang pamilya mataas na temperatura pakete 600 V SiC Junction Transistors (SJT) sa 3-50 Amperes kasalukuyang rating sa JEDEC industriya-standard sa pamamagitan ng butas at ibabaw bundok pakete. Inkorporada ang mga mataas na temperatura, mababang on-resistance, mataas na dalas Sic Transistors sa hermetic pakete, mataas na temperatura solders at encapsulation ay dagdagan ang kahusayan ng conversion kahusayan at mabawasan ang laki / timbang / dami ng mataas na temperatura kapangyarihan conversion application.

Kontemporaryo mataas na temperatura kapangyarihan supply, motor control at actuator circuits na ginagamit sa langis /gas/downhole at aerospace application magdusa mula sa kakulangan ng isang mataas na temperatura Silicon Carbide solusyon. Silicon transistors magdusa mula sa mababang circuit kahusayan at malaking sukat dahil sila magdusa mula sa mataas na leakage kasalukuyang at mababang paglipat ng mga katangian. Parehong ang mga parameter na ito ay nagiging mas masahol pa sa mas mataas na temperatura ng junction. Gamit ang thermally pinipigilan kapaligiran, junction temperatura tumaas lubos madali kahit na kapag disente kasalukuyang ay lumipas. Hermetically nakaimpake SiC transistors nag-aalok ng natatanging mga katangian na pangako upang maisakatuwid ang kakayahan ng pababa at aerospace application. GeneSiC ni 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors tampok malapit sa zero paglipat ng oras na hindi nagbabago sa temperatura. Ang 210^oC junction temperatura-rated aparato nag-aalok ng relatibong malaking temperatura margin para sa mga application na gumagana sa ilalim ng matinding kapaligiran.

Junction Transistors inaalok ng GeneSiC exhibit ultra-mabilis na paglipat ng kakayahan, isang parisukat na reverse biased ligtas na lugar ng operasyon (RBSOA), pati na rin ang temperatura independiyenteng panandaliang pagkawala ng enerhiya at paglipat ng mga oras. Ang mga switch na ito ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at may kakayahang itaboy ng komersyal na, karaniwang magagamit 15 V IGBT gate driver, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch. Habang nag-aalok ng pagiging tumutugma sa SiC JFET driver, SiC Junction Transistors ay madaling kahalintulad dahil sa kanilang pagtutugma ng mga katangian ng transient.

“Bilang downhole at aerospace application designer patuloy na itulak ang mga limitasyon ng operating dalas, habang pa rin demanding mataas na circuit kahusayan, kailangan nila siC switch na maaaring mag-alok ng isang pamantayan ng pagganap, pagiging maaasahan at produksyon uniporme. Paggamit ng natatanging aparato at tela makabagong-likha, GeneSiC's SJT produkto ay tumutulong sa mga designer makamit ang lahat na sa isang mas matikas solusyon. Ang mga produktong ito ay nagbubunga ng hermetic pakete SiC rectifier inilabas noong nakaraang taon sa pamamagitan ng GeneSiC, at ang mga pangunahing produkto na inilabas mas maaga sa taong ito, habang pag-iimpake ng paraan para sa amin upang mag-alok ng mataas na temperatura, mababang-inductance, kapangyarihan module sa malapit na hinaharap ” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.

Nakahiwalay sa TO-257 sa 600 V SJTs:

• 65 mOhms/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7637-GA); at 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <50 nanoseconds karaniwang.
• Kaukulang Baree Die GA20JT06-CAL (sa 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (sa 2N7637-GA); at GA05JT06-CAL (sa 2N7635-GA)

Non-Isolated to-258 Prototype pakete na may 600 SJTS

• 25 mOhms/50 Amp (GA50JT06-258 prototype package)
• T_jmax = 210^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <50 nanoseconds karaniwang.
• Kaukulang hubad mamatay GA50JT06-CAL (sa GA50JT06-258)

Ibabaw Mount TO-276 (SMD0.5) kasama ang 600 SJTS

• 65 mOhms/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7638-GA); at 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^oC
• Magbukas/Magpatay; Tumaas/ Mahulog beses <50 nanoseconds karaniwang.

Lahat ng device ay 100% nasubok sa buong boltahe / kasalukuyang rating at nakatira sa hermetic package. Teknikal na Suporta at SPICE circuit modelo ay inaalok. Ang mga aparato ay agad na magagamit mula sa GeneSiC Direkta at / o sa pamamagitan ng mga Awtorisadong Distributor nito.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.

GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin silicon rectifier produkto. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, down ng langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. GeneSiC ay nakakuha ng maraming pananaliksik at pag-unlad kontrata mula sa mga ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang ARPA-E, Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, DTRA, at ang Department of Homeland Security, pati na rin ang mga pangunahing kontratista ng pamahalaan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.

Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt