Isang electric kapangyarihan grid supplies maaasahan kapangyarihan sa tulong ng mga electronic device na siguraduhin na makinis, maaasahang daloy ng kapangyarihan. Hanggang ngayon, silicon-based assemblies ay umasa sa, ngunit hindi nila kayang hawakan ang mga kinakailangan ng smart grid. Malawak-band-gap materyales tulad ng silicon carbide (Sic) nag-aalok ng isang mas mahusay na alternatibo bilang sila ay may kakayahang mas mataas na bilis ng paglipat, isang mas mataas na breakdown boltahe, mas mababang paglipat pagkalugi, at isang mas mataas na junction temperatura kaysa sa tradisyunal na silicon-based switch. Ang unang tulad sic-based na aparato upang maabot ang merkado ay ang Ultra-mataas na boltahe Silicon Carbide Thyristor (SiC Thyristor), binuo sa pamamagitan ng GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., may suporta mula sa Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., ang US. Kagawaran ng Enerhiya / Kuryente Paghahatid, at ang US. Pananaliksik ng Hukbo/Armament Research, Development at Engineering Center, Picatinny Arsenal, N.J.
Ang mga developer pinagtibay ng isang iba't ibang mga operasyon physics para sa kagamitang ito, na nagpapatakbo sa minorya carrier transportasyon at isang integrated ikatlong terminal rectifier, na kung saan ay isa higit sa iba pang mga komersyal na Sic device. Developer pinagtibay ng isang bagong pamamaraan ng tela na sumusuporta sa mga rating sa itaas 6,500 V, pati na rin ang isang bagong gate-anode disenyo para sa mataas na kasalukuyang mga aparato. May kakayahang gumanap sa temperatura hanggang sa 300 C at kasalukuyang sa 80 Isang, ang Sic Thyristor ay nag-aalok ng hanggang sa 10 beses mas mataas na boltahe, apat na beses na mas mataas na blocking boltahe, at 100 beses mas mabilis paglipat ng dalas kaysa sa silicon-based thyristors.
