Nai-post sa

Bagong Physics Hinahayaan Thyristor Maabot ang Mas Mataas na Antas

MGA DULLES, VA, Agosto 30, 2011 – Bagong Physics Hinahayaan Thyristors Maabot ang Mas Mataas na Antas

Isang electric kapangyarihan grid supplies maaasahan kapangyarihan sa tulong ng mga electronic device na siguraduhin na makinis, maaasahang daloy ng kapangyarihan. Hanggang ngayon, silicon-based assemblies ay umasa sa, ngunit hindi nila kayang hawakan ang mga kinakailangan ng smart grid. Malawak-band-gap materyales tulad ng silicon carbide (Sic) nag-aalok ng isang mas mahusay na alternatibo bilang sila ay may kakayahang mas mataas na bilis ng paglipat, isang mas mataas na breakdown boltahe, mas mababang paglipat pagkalugi, at isang mas mataas na junction temperatura kaysa sa tradisyunal na silicon-based switch. Ang unang tulad sic-based na aparato upang maabot ang merkado ay ang Ultra-mataas na boltahe Silicon Carbide Thyristor (SiC Thyristor), binuo sa pamamagitan ng GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., may suporta mula sa Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., ang US. Kagawaran ng Enerhiya / Kuryente Paghahatid, at ang US. Pananaliksik ng Hukbo/Armament Research, Development at Engineering Center, Picatinny Arsenal, N.J.

Ang mga developer pinagtibay ng isang iba't ibang mga operasyon physics para sa kagamitang ito, na nagpapatakbo sa minorya carrier transportasyon at isang integrated ikatlong terminal rectifier, na kung saan ay isa higit sa iba pang mga komersyal na Sic device. Developer pinagtibay ng isang bagong pamamaraan ng tela na sumusuporta sa mga rating sa itaas 6,500 V, pati na rin ang isang bagong gate-anode disenyo para sa mataas na kasalukuyang mga aparato. May kakayahang gumanap sa temperatura hanggang sa 300 C at kasalukuyang sa 80 Isang, ang Sic Thyristor ay nag-aalok ng hanggang sa 10 beses mas mataas na boltahe, apat na beses na mas mataas na blocking boltahe, at 100 beses mas mabilis paglipat ng dalas kaysa sa silicon-based thyristors.

Nai-post sa

GeneSiC nanalo ang prestihiyoso R&D100 Award para sa Sic Devices sa Grid-konektado Solar at Wind Enerhiya Applications

MGA DULLES, VA, Hulyo 14, 2011 — R&D Magazine ay napili GeneSic Semiconductor Inc. ng mga Dulles, VA bilang isang tatanggap ng prestihiyoso 2011 R&D 100 Award para sa komersyalisasyon ng Silicon Carbide aparato na may mataas na boltahe rating.

GeneSiC ang Inc, isang mahalagang innovator sa Silicon Carbide batay kapangyarihan aparato ay pinarangalan noong nakaraang linggo sa anunsyo na ito ay iginawad ang prestihiyoso 2011 R&D 100 Award. Ito award kinikilala GeneSiC para sa pagpapakilala ng isa sa mga pinaka-makabuluhang, bagong ipinakilala pananaliksik at pag-unlad advances sa maramihang disiplina sa panahon ng 2010. R&D Magazine kinikilala GeneSiC's Ultra-High Voltage Sic Thyristor para sa kanyang kakayahan upang makamit ang pagharang ng mga boltahe at dalas ay hindi kailanman gumagamit bago patungo sa kapangyarihan electronic demonstrasyon. Ang boltahe rating ng >6.5kV, on-state kasalukuyang rating ng 80 A at operating dalas ng >5 kHz ay mas mataas kaysa sa mga dati ipinakilala sa merkado. Ang mga kakayahang ito na nakamit ng GenesiC's Thyristors kritikal na paganahin ang kapangyarihan electronics mananaliksik upang bumuo ng grid-nakatali inverters, Nabaluktot

AC Transmission System (Katotohanan) at Mataas na Boltahe DC System (HVDC). Ito ay magpapahintulot sa mga bagong imbensyon at mga pag-unlad ng produkto sa loob ng panibagong enerhiya, solar inverters, hangin kapangyarihan inverters, at enerhiya imbakan industriya. Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSiC Semiconductor comented "Ito ay inaasahan na ang malaking-scale market sa solid-estado electrical substations at hangin turbina generators ay bukas up pagkatapos ng mga mananaliksik sa kapangyarihan conversion ay ganap na mapagtanto ang mga benepisyo ng Sic Thyristors. Ginagamit ng mga unang henerasyong ito si Sic Thyristors ang pinakamababang boltahe at iba't ibang pagtutol na nakamit sa Sic Thyristors. Balak naming i-release ang mga darating na henerasyon ng SiC Thyristors optimize para sa Gate-controlled Turn Off kakayahan at pulsed kapangyarihan kakayahan at >10kV rating. Habang patuloy kaming bumuo ng mataas na temperatura ultra-mataas na boltahe packaging solusyon, ang kasalukuyang 6.5kV Thyristors ay nakapakete sa mga modulo na may ganap na malutas na mga contact, limitado sa 150oC junction temperatura." Dahil ang produktong ito ay inilunsad noong Oktubre 2010, GeneSiC ay may booked order mula sa maramihang mga customer patungo sa pagpapamalas ng advanced na kapangyarihan electronics hardware gamit ang mga Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC ay patuloy na bumuo ng kanyang pamilya ng Silicon Carbide Thyristor produkto. Ang R&D sa maagang bersyon para sa power conversion application ay binuo sa pamamagitan ng SBIR pagpopondo suporta mula sa US Dept. ng Enerhiya. Higit pang mga advanced, Pulsed Power optimize SiC Thyristors ay binuo sa ilalim ng isa pang SBIR kontrata sa ARDEC, HUKBONG US. Paggamit ng mga teknikal na pag-unlad na ito, panloob na pamumuhunan mula sa GeneSiC at komersyal na mga order mula sa maramihang mga customer, GeneSiC ay nagawang mag-alok ng mga UHV Thyristors bilang komersyal na mga produkto.

Ang ika-49 na taunang teknolohiya kumpetisyon tumakbo sa pamamagitan ng R&D Magazine sinuri entry mula sa iba't-ibang mga kumpanya at industriya manlalaro, pananaliksik organisasyon at unibersidad sa buong mundo. Ang mga editor ng magasin at isang panel ng mga eksperto ay nagsilbing mga hukom, sinusuri ang bawat entry sa mga tuntunin ng kahalagahan nito sa mundo ng agham at pananaliksik.

Ayon sa R&magasin, nanalo ng R&D 100 Award ay nagbibigay ng isang marka ng kahusayan na kilala sa industriya, pamahalaan, at akademia bilang patunay na ang produkto ay isa sa mga pinaka-makabagong ideya ng taon. Kinikilala ng award na ito ang GeneSiC bilang isang pandaigdigang lider sa paglikha ng mga produktong teknolohiya na gumagawa ng kaibhan sa kung paano tayo nagtatrabaho at nabubuhay.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.

Nai-post sa

Multi-kHz, Ultra-Mataas na Boltahe Silicon Carbide Thyristors sample sa US Mananaliksik

MGA DULLES, VA, Nobyembre 1, 2010 –Sa una sa kanyang uri ng handog, GeneSiC Semiconductor ibinalita ang availability ng isang pamilya ng 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors para gamitin sa kapangyarihan electronics para sa Smart Grid application. Rebolusyonaryo pagganap bentahe ng mga kapangyarihan aparato ay inaasahang gastusin key innovations sa utility-scale kapangyarihan electronics hardware upang dagdagan ang accessibility at pagsasamantala ng Distribution Enerhiya Resources (DER). "Hanggang ngayon, multi-kV Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan aparato ay hindi bukas na magagamit sa US mananaliksik upang ganap na samantalahin ang mga kilalang bentahe– pangalan 2-10kHz operating frequencies sa 5-15kV rating – ng SiC-based na mga aparato ng kapangyarihan.". rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "GeneSiC ay kamakailan-lamang na nakumpleto paghahatid ng maraming 6.5kV/40A, 6.5kV/60A at 6.5kV/80A Thyristors sa maramihang mga customer na nagsasagawa ng pananaliksik sa panibagong enerhiya, Army at Naval power system application. Ang mga sic device na may mga rating na ito ay inaalok na ngayon ng mas malawak na."

Silicon Carbide batay sa Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors. Target na mga application pananaliksik pagkakataon para sa mga device na ito isama ang pangkalahatang layunin ng daluyan ng voltage kapangyarihan conversion (MVDC), Grid-nakatali solar inverters, hangin kapangyarihan inverters, pulsed kapangyarihan, sistema ng armas, Kontrol ng ignisyon, at mag-trigger control. Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan.

Dr. Singh ay patuloy "Ito ay inaasahan na ang mga malalaking merkado sa solid-estado electrical substations at hangin turbina generators ay bukas up pagkatapos ng mga mananaliksik sa kapangyarihan conversion ay ganap na mapagtanto ang mga benepisyo ng Sic Thyristors. Ginagamit ng mga unang henerasyong ito si Sic Thyristors ang pinakamababang boltahe at iba't ibang pagtutol na nakamit sa Sic Thyristors. Balak naming i-release ang darating na mga henerasyon ng SiC Thyristors optimize para sa Gate-controlled Turn Off kakayahan at >10kV rating. Habang patuloy kaming bumuo ng mataas na temperatura ultra-mataas na boltahe packaging solusyon, ang kasalukuyang 6.5kV Thyristors ay nakapakete sa mga modulo na may ganap na malutas na mga contact, limitado sa 150oC junction temperatura." GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.

Matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahin www.genesicsemi.com.