MGA DULLES, VA, Oktubre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., isang mabilis-tumataas na makabagong-likha ng mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, inihayag na ay iginawad tatlong magkakahiwalay na maliit na negosyo grants mula sa US Department of Energy sa panahon ng FY07. Ang SBIR at STTR grants ay gagamitin sa pamamagitan ng GeneSiC upang ipakita ang nobelang mataas na boltahe Sic aparato para sa isang iba't ibang mga enerhiya imbakan, kapangyarihan grid, mataas na temperatura at mataas na enerhiya physics application. Enerhiya imbakan at kapangyarihan grid application ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya pamamahala solusyon.
“Nasisiyahan kami sa antas ng tiwala na ipinahayag ng iba't ibang opisina sa loob ng US Department sa Enerhiya tungkol sa aming mataas na kapangyarihan aparato solusyon. Injecting ang pagpopondong ito sa aming mga advanced na programa ng Sic teknolohiya ay magreresulta sa isang industriya-nangungunang linya Sic aparato,” sinabi ni GeneSic president, Dr. rantso singh. “Ang mga device na binuo sa mga proyektong ito pangako upang magbigay ng kritikal na teknolohiya upang suportahan ang isang mas mahusay na kapangyarihan grid, at bubuksan ang pinto sa bagong komersyal at militar hardware teknolohiya na nanatiling hindi naisasagawa dahil sa mga limitasyon ng mga kontemporaryo silicon-based na teknolohiya.”
Kabilang sa tatlong proyekto ang:
- Isang bagong Phase I SBIR award na nakatuon sa mataas na kasalukuyang, multi-kV Thyristor-based na aparato na naka-gear patungo sa enerhiya imbakan application.
- Isang Phase II SBIR follow-on award para sa pag-unlad ng multi-kV Sic power aparato para sa mataas na kapangyarihan RF system application na iginawad ng DOE Office of Science.
- Isang Phase I STTR award na nakatuon sa optika gated mataas na boltahe, mataas na dalas Sic kapangyarihan aparato para sa mga kapaligiran mayaman sa electro-magnetic interference, kabilang ang mataas na kapangyarihan RF enerhiya sistema, at direktang sistema ng enerhiya.
Kasama ang mga award, GeneSiC ay kamakailan-lamang na relocated operasyon sa isang pinalawak na laboratoryo at opisina gusali sa Dulles, Virginia, makabuluhang pag-upgrade ng kanyang mga kagamitan, imprastraktura at ay sa proseso ng pagdaragdag ng karagdagang key tauhan.
“GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer, backing na may access sa isang malawak na suite ng tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad,” concluded Dr. Singh. “Pakiramdam namin ang mga kakayahang iyon ay epektibong napatibay ng US DOE sa mga bago at follow-on award na ito.”
Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisita www.genesicsemi.com.
