Nai-post sa

GeneSic release industriya pinakamahusay na gumaganap 1700V Sic Schottky MPS™ diodes

MGA DULLES, VA, Enero 7, 2019 — GeneSiC release ng isang komprehensibong portfolio ng kanyang ikatlong henerasyon 1700V Sic Schotky MPS™ diodes sa TO-247-2 pakete

GeneSiC ay ipinakilala GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 at GB50MPS17-247; ang pinakamahusay na gumaganap 1700V SiC diodes magagamit sa popular na TO-247-2 sa pamamagitan ng hole pakete. Ang mga ito 1700V SiC diodes palitan ang silicon-based ultra-mabilis na pagbawi diodes at iba pang lumang henerasyon 1700V SiC JBS, nagbibigay-kakayahan sa mga inhinyero upang bumuo ng paglipat circuits na may mas mahusay na kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density. Application ay inaasahang isama ang electric sasakyan mabilis singilin, motor drive, transportasyon kapangyarihan supplies at renewable enerhiya.

GB50MPS17-247 ay isang 1700V 50A Sic merged-PiN-schotky diode, ang pinakamataas na kasalukuyang rate ng industriya discrete SiC kapangyarihan diode. Ang mga bagong inilabas na diodes tampok mababang pasulong boltahe drop, zero pasulong pagbawi, zero reverse pagbawi, mababang junction kapasidad at ay rated para sa isang pinakamataas na temperatura ng operating temperatura ng 175°C. GeneSiC ikatlong henerasyon SiC schotky diode teknolohiya ay nagbibigay ng industriya na humahantong sa avalanche ruggedness at surgeon kasalukuyang (Kung mangangaso) pagkabubulag, pinagsama sa mataas na kalidad automotive kwalipikadong 6-pulgadang natagpuan at advanced na mataas na pagiging maaasahan discrete assembly teknolohiya.

Ang mga sic diodes na ito ay pin-compatible direktang kapalit sa iba pang mga diodes na magagamit sa TO-247-2 pakete. Benepisyo mula sa kanilang mas mababang kapangyarihan pagkalugi (cooler operasyon) at mataas na dalas paglipat ng kakayahan, designer ay maaari na ngayon makamit ang mas mataas na kahusayan sa conversion kahusayan at mas mataas na kapangyarihan density sa disenyo.

Tungkol sa GeneSic Semiconductor, Inc.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad. GeneSiC ang Inc. develops Silicon Carbide (Sic) batay sa semiconductor aparato para sa mataas na temperatura, radiation, at kapangyarihan grid application. Kabilang dito ang pagbuo ng mga rectifier, MGA FET, bipolar aparato pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may access sa isang malawak na suite ng semiconductor disenyo, tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad para sa mga tulad device. GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer. Ang kumpanya ay nakikilala mismo sa pamamagitan ng pagbibigay ng mataas na kalidad ng mga produkto na partikular na tinedyer sa mga kinakailangan ng bawat customer. GeneSiC ay may prime/sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO kabilang ang ARPA-E, US Dept ng Enerhiya, navy, DARPA, Dept ng Homeland Security, Dept ng Commerce at iba pang mga departamento sa loob ng US Dept. ng pagtatanggol. GeneSiC ay patuloy na mabilis na mapahusay ang mga kagamitan at tauhan imprastraktura sa kanyang Dulles, Virginia pasilidad. Ang kumpanya ay agresibong pagkuha tauhan na karanasan sa compound semiconductor aparato tela, semiconductor pagsubok at detector disenyo. Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisitawww.genesicsemi.com.

Nai-post sa

Multi-kHz, Ultra-Mataas na Boltahe Silicon Carbide Thyristors sample sa US Mananaliksik

MGA DULLES, VA, Nobyembre 1, 2010 –Sa una sa kanyang uri ng handog, GeneSiC Semiconductor ibinalita ang availability ng isang pamilya ng 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors para gamitin sa kapangyarihan electronics para sa Smart Grid application. Rebolusyonaryo pagganap bentahe ng mga kapangyarihan aparato ay inaasahang gastusin key innovations sa utility-scale kapangyarihan electronics hardware upang dagdagan ang accessibility at pagsasamantala ng Distribution Enerhiya Resources (DER). "Hanggang ngayon, multi-kV Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan aparato ay hindi bukas na magagamit sa US mananaliksik upang ganap na samantalahin ang mga kilalang bentahe– pangalan 2-10kHz operating frequencies sa 5-15kV rating – ng SiC-based na mga aparato ng kapangyarihan.". rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "GeneSiC ay kamakailan-lamang na nakumpleto paghahatid ng maraming 6.5kV/40A, 6.5kV/60A at 6.5kV/80A Thyristors sa maramihang mga customer na nagsasagawa ng pananaliksik sa panibagong enerhiya, Army at Naval power system application. Ang mga sic device na may mga rating na ito ay inaalok na ngayon ng mas malawak na."

Silicon Carbide batay sa Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors. Target na mga application pananaliksik pagkakataon para sa mga device na ito isama ang pangkalahatang layunin ng daluyan ng voltage kapangyarihan conversion (MVDC), Grid-nakatali solar inverters, hangin kapangyarihan inverters, pulsed kapangyarihan, sistema ng armas, Kontrol ng ignisyon, at mag-trigger control. Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan.

Dr. Singh ay patuloy "Ito ay inaasahan na ang mga malalaking merkado sa solid-estado electrical substations at hangin turbina generators ay bukas up pagkatapos ng mga mananaliksik sa kapangyarihan conversion ay ganap na mapagtanto ang mga benepisyo ng Sic Thyristors. Ginagamit ng mga unang henerasyong ito si Sic Thyristors ang pinakamababang boltahe at iba't ibang pagtutol na nakamit sa Sic Thyristors. Balak naming i-release ang darating na mga henerasyon ng SiC Thyristors optimize para sa Gate-controlled Turn Off kakayahan at >10kV rating. Habang patuloy kaming bumuo ng mataas na temperatura ultra-mataas na boltahe packaging solusyon, ang kasalukuyang 6.5kV Thyristors ay nakapakete sa mga modulo na may ganap na malutas na mga contact, limitado sa 150oC junction temperatura." GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.

Matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahin www.genesicsemi.com.

Nai-post sa

GeneSiC nanalo $2.53M mula sa ARPA-E patungo sa pag-unlad ng Silicon Carbide Thyristor-based na aparato

MGA DULLES, VA, Setyembre 28, 2010 – Advanced na Pananaliksik Proyekto Ahensiya – Enerhiya (ARPA-E) ay ipinasok sa isang Kasunduan sa Kooperative Kasunduan sa GeneSiC Semiconductor-humantong koponan patungo sa pagbuo ng nobelang ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) Thyristor batay aparato. Ang mga aparatong ito ay inaasahang maging key enable para sa pagsasama-sama ng malakihang hangin at solar power halaman sa susunod na henerasyon Smart Grid.

"Ang mataas na mapagkumpitensyang award na ito sa GeneSiC ay magpapahintulot sa amin na palawain ang aming teknikal na posisyon sa multi-kV Silicon Carbide teknolohiya, pati na rin ang aming pangako sa grid-scale alternatibong mga solusyon enerhiya na may solid estado solusyon," komento Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSiC. "Multi-kV Sic Thyristors namin pagbuo ay ang susi na nagbibigay-kakayahang teknolohiya patungo sa pagkaunawa ng Nababaluktot AC Transmission System (Katotohanan) mga elemento at Mataas na Boltahe DC (HVDC) arkitektura envisaged patungo sa isang integrated, mahusay na, Smart Grid ng hinaharap. GeneSiC's Sic-based Thyristors nag-aalok ng 10X mas mataas na boltahe, 100X mas mabilis na paglipat ng mga dalas at mas mataas na temperatura operasyon sa FACTS at HVDC power processing solusyon kumpara sa maginoo Silicon-based Thyristors."

Noong Abril 2010, GeneSiC tumugon sa Agile Paghahatid ng Electrical Power Teknolohiya (ADEPT) solicitation mula sa ARPA-E na naghangad na mamuhunan sa mga materyales para sa mga pangunahing advances sa mataas na boltahe switch na may potensyal na lumukso umiiral na kapangyarihan converter pagganap habang nag-aalok ng pagbabawas sa gastos. Ang panukala ng kumpanya na pinamagatang "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor para sa daluyan ng voltage power conversion" ay pinili upang magbigay ng isang magaan na timbang, solid-estado, daluyan ng enerhiya pagbabalik-loob para sa mataas na kapangyarihan application tulad ng solid-estado electrical substations at hangin turbina generators. Deploying ang mga advanced na kapangyarihan semiconductor teknolohiya ay maaaring magbigay ng mas maraming bilang isang 25-30 porsyento pagbabawas sa koryente consumption sa pamamagitan ng nadagdagan kahusayan sa paghahatid ng electrical kapangyarihan. Makabagong-likha ang napiling suportahan at itaguyod ang US. mga negosyo sa pamamagitan ng teknolohikal na pamumuno, sa pamamagitan ng isang mataas na mapagkumpitensya proseso.

Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may malawak na mas mataas na katangian upang maginoo silicon, tulad ng kakayahang hawakan nang sampung beses ang boltahe—at isandaang beses ang kasalukuyan—sa mga temperatura na kasingtaas 300ºC. Ang mga katangiang ito ay ginagawang angkop sa mataas na kapangyarihan aplikasyon tulad ng hybrid at electric sasakyan, renewable enerhiya (hangin at solar) mga instalasyon, at electrical-grid control system.

Ito ngayon ay mahusay na itinatag na ultra-mataas na boltahe (>10kV) Silicon Carbide (Sic) aparato teknolohiya ay i-play ng isang rebolusyonaryo papel sa susunod na henerasyon utility grid. Thyristor-based Sic device ay nag-aalok ng pinakamataas na on-state pagganap para sa >5 mga aparato ng kV, at malawak na angkop patungo sa daluyan ng daluyan ng kapangyarihan conversion circuits tulad ng Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR Compensators at Serye Compensors. SiC batay sa Thyristors din nag-aalok ng pinakamahusay na pagkakataon ng maagang pag-aampon dahil sa kanilang mga pagkakatulad sa maginoo kapangyarihan grid elemento. Iba pang mga promising application at bentahe para sa mga device na ito isama:

  • Power-management at power-conditioning system para sa Medium Voltage DC conversion na hinangad sa ilalim ng Hinaharap Naval Capability (FNC) ng US Navy, Electro-magnetic ilunsad system, mataas na enerhiya armas system at medikal na imaging. Ang 10-100X mas mataas na operating kakayahan ay nagbibigay-daan sa walang kapantay na pagpapabuti sa laki, timbang, dami at sa huli, gastos ng naturang sistema.
  • Iba't-ibang imbakan ng enerhiya, mataas na temperatura at mataas na enerhiya physics application. Enerhiya imbakan at kapangyarihan grid application ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.

GeneSiC ay isang mabilis na lumilitaw innovator sa lugar ng Sic power aparato at may isang malakas na katapatan sa pagbuo ng Silicon Carbide (Sic) batay na mga kagamitan para sa: (ay) HV-HF Sic aparato para sa Power Grid, Pulsed kapangyarihan at Direktang Enerhiya Armas; at (b) Mataas na temperatura Sic power aparato para sa mga aktwal na sasakyang panghimpapawid at langis paggalugad.

“Lumitaw kami bilang lider sa ultra-mataas na boltahe Sic teknolohiya sa pamamagitan ng leveraging ang aming core competency sa aparato at proseso ng disenyo na may isang malawak na suite ng tela, katangian, at pagsubok pasilidad," concludes Dr. Singh. "Ang posisyon ni GeneSiC ay epektibong napatibay ng US DOE na may makabuluhang follow-on award."

Tungkol sa GeneSic Semiconductor

Estratehikong matatagpuan malapit sa Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, superJunction transistor (SJT) at isang malawak na iba't-ibang mga Thyristor batay aparato. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, Hukbo, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahinwww.genesicsemi.com.

Nai-post sa

Renewable Enerhiya Thrust Nets GeneSic Semiconductor $1.5M mula sa US Department of Energy

MGA DULLES, VA, Nobyembre 12, 2008 – Ang US Department of Energy ay iginawad GeneSic Semiconductor dalawang magkahiwalay na grants kabuuang $1.5M para sa pagbuo ng mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga device na magsisilbing key enable para sa hangin- at solar-power integration sa kuryente ng bansa grid.

"Ang mga award na ito ay nagpapakita ng tiwala ng DOE sa kakayahan ng GeneSiC, pati na rin ang kanyang pangako sa alternatibong mga solusyon ng enerhiya," tala Dr. rantso singh, pangulo ng GeneSiC. "Isang integrated, mahusay na kapangyarihan grid ay kritikal sa enerhiya ng bansa hinaharap — at ang Sic devices namin pagbuo ay kritikal para sa pagdaig sa mga hindi pagkakapantay-pantay ng mga teknolohiya ng silicon."

Ang unang award ay isang $750k Phase II SBIR grant para sa pagbuo ng mabilis, ultra-mataas na boltahe Sic bipolar aparato. Ang pangalawa ay isang $750k Phase II STTR grant para sa pagbuo ng optika gated mataas na kapangyarihan Sic switch.

Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may kakayahanupang hawakan ang 10x ang boltahe at 100x ang kasalukuyang silicon, paggawa ng ito sa isip angkop sa mataas na kapangyarihan application tulad ng renewable enerhiya (hangin at solar) instalasyon at electrical-grid control system.

Partikular na, ang dalawang award ay para sa:

  • Pagbuo ng mataas na dalas, multi-kilovolt SiC gate-off (GTO) kapangyarihan aparato. Pamahalaan at komersyal na aplikasyon isama ang power-management at kondisyon sistema para sa mga ships, ang industriya ng utility, at medikal na imaging.
  • Disenyo at tela ng optika gated mataas na boltahe, mataas na kapangyarihan Sic lumipat ng mga aparato. Paggamit ng fiber-optics upang lumipat ng kapangyarihan ay isang mainam na solusyon para sa mga kapaligiran na plagued sa pamamagitan ng electro-magnetic interference (EMI), at application na nangangailangan ng ultra-boltahe.

Ang Sic device GeneSiC ay pagbuo ng isang iba't ibang mga imbakan ng enerhiya, kapangyarihan grid, at mga aplikasyong militar, na kung saan ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.

Batay sa labas ng Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, patlang-epekto transistors (MGA FET) at bipolar aparato, pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahin www.genesicsemi.com.

Nai-post sa

GeneSic Semiconductor Iginawad maramihang US Department of Energy SBIR at STTR Grants

MGA DULLES, VA, Oktubre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., isang mabilis-tumataas na makabagong-likha ng mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, inihayag na ay iginawad tatlong magkakahiwalay na maliit na negosyo grants mula sa US Department of Energy sa panahon ng FY07. Ang SBIR at STTR grants ay gagamitin sa pamamagitan ng GeneSiC upang ipakita ang nobelang mataas na boltahe Sic aparato para sa isang iba't ibang mga enerhiya imbakan, kapangyarihan grid, mataas na temperatura at mataas na enerhiya physics application. Enerhiya imbakan at kapangyarihan grid application ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya pamamahala solusyon.

“Nasisiyahan kami sa antas ng tiwala na ipinahayag ng iba't ibang opisina sa loob ng US Department sa Enerhiya tungkol sa aming mataas na kapangyarihan aparato solusyon. Injecting ang pagpopondong ito sa aming mga advanced na programa ng Sic teknolohiya ay magreresulta sa isang industriya-nangungunang linya Sic aparato,” sinabi ni GeneSic president, Dr. rantso singh. “Ang mga device na binuo sa mga proyektong ito pangako upang magbigay ng kritikal na teknolohiya upang suportahan ang isang mas mahusay na kapangyarihan grid, at bubuksan ang pinto sa bagong komersyal at militar hardware teknolohiya na nanatiling hindi naisasagawa dahil sa mga limitasyon ng mga kontemporaryo silicon-based na teknolohiya.”

Kabilang sa tatlong proyekto ang:

  • Isang bagong Phase I SBIR award na nakatuon sa mataas na kasalukuyang, multi-kV Thyristor-based na aparato na naka-gear patungo sa enerhiya imbakan application.
  • Isang Phase II SBIR follow-on award para sa pag-unlad ng multi-kV Sic power aparato para sa mataas na kapangyarihan RF system application na iginawad ng DOE Office of Science.
  • Isang Phase I STTR award na nakatuon sa optika gated mataas na boltahe, mataas na dalas Sic kapangyarihan aparato para sa mga kapaligiran mayaman sa electro-magnetic interference, kabilang ang mataas na kapangyarihan RF enerhiya sistema, at direktang sistema ng enerhiya.

Kasama ang mga award, GeneSiC ay kamakailan-lamang na relocated operasyon sa isang pinalawak na laboratoryo at opisina gusali sa Dulles, Virginia, makabuluhang pag-upgrade ng kanyang mga kagamitan, imprastraktura at ay sa proseso ng pagdaragdag ng karagdagang key tauhan.

“GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer, backing na may access sa isang malawak na suite ng tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad,” concluded Dr. Singh. “Pakiramdam namin ang mga kakayahang iyon ay epektibong napatibay ng US DOE sa mga bago at follow-on award na ito.”

Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisita www.genesicsemi.com.