Nai-post sa

Renewable Enerhiya Thrust Nets GeneSic Semiconductor $1.5M mula sa US Department of Energy

MGA DULLES, VA, Nobyembre 12, 2008 – Ang US Department of Energy ay iginawad GeneSic Semiconductor dalawang magkahiwalay na grants kabuuang $1.5M para sa pagbuo ng mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga device na magsisilbing key enable para sa hangin- at solar-power integration sa kuryente ng bansa grid.

"Ang mga award na ito ay nagpapakita ng tiwala ng DOE sa kakayahan ng GeneSiC, pati na rin ang kanyang pangako sa alternatibong mga solusyon ng enerhiya," tala Dr. rantso singh, pangulo ng GeneSiC. "Isang integrated, mahusay na kapangyarihan grid ay kritikal sa enerhiya ng bansa hinaharap — at ang Sic devices namin pagbuo ay kritikal para sa pagdaig sa mga hindi pagkakapantay-pantay ng mga teknolohiya ng silicon."

Ang unang award ay isang $750k Phase II SBIR grant para sa pagbuo ng mabilis, ultra-mataas na boltahe Sic bipolar aparato. Ang pangalawa ay isang $750k Phase II STTR grant para sa pagbuo ng optika gated mataas na kapangyarihan Sic switch.

Silicon carbide ay isang susunod na henerasyon semiconductor materyal na may kakayahanupang hawakan ang 10x ang boltahe at 100x ang kasalukuyang silicon, paggawa ng ito sa isip angkop sa mataas na kapangyarihan application tulad ng renewable enerhiya (hangin at solar) instalasyon at electrical-grid control system.

Partikular na, ang dalawang award ay para sa:

  • Pagbuo ng mataas na dalas, multi-kilovolt SiC gate-off (GTO) kapangyarihan aparato. Pamahalaan at komersyal na aplikasyon isama ang power-management at kondisyon sistema para sa mga ships, ang industriya ng utility, at medikal na imaging.
  • Disenyo at tela ng optika gated mataas na boltahe, mataas na kapangyarihan Sic lumipat ng mga aparato. Paggamit ng fiber-optics upang lumipat ng kapangyarihan ay isang mainam na solusyon para sa mga kapaligiran na plagued sa pamamagitan ng electro-magnetic interference (EMI), at application na nangangailangan ng ultra-boltahe.

Ang Sic device GeneSiC ay pagbuo ng isang iba't ibang mga imbakan ng enerhiya, kapangyarihan grid, at mga aplikasyong militar, na kung saan ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya-pamamahala solusyon.

Batay sa labas ng Washington, DC sa mga Dulles, Virginia, GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan. Kasalukuyang mga proyekto sa pag-unlad isama ang mga high-temperatura rectifier, patlang-epekto transistors (MGA FET) at bipolar aparato, pati na rin ang particle & photonic detector. GeneSiC ay may kalakasan / sub-kontrata mula sa mga pangunahing ahensya ng GOBYERNO, kabilang ang Kagawaran ng Enerhiya, navy, DARPA, at ang Department of Homeland Security. Ang kumpanya ay kasalukuyang dumaranas ng malaking paglago, at pagkuha ng kwalipikadong tauhan sa power-device at detector disenyo, tela, at pagsubok. Upang malaman ang higit pa, mangyaring bisitahin www.genesicsemi.com.

Nai-post sa

GeneSic Semiconductor Iginawad maramihang US Department of Energy SBIR at STTR Grants

MGA DULLES, VA, Oktubre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., isang mabilis-tumataas na makabagong-likha ng mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, inihayag na ay iginawad tatlong magkakahiwalay na maliit na negosyo grants mula sa US Department of Energy sa panahon ng FY07. Ang SBIR at STTR grants ay gagamitin sa pamamagitan ng GeneSiC upang ipakita ang nobelang mataas na boltahe Sic aparato para sa isang iba't ibang mga enerhiya imbakan, kapangyarihan grid, mataas na temperatura at mataas na enerhiya physics application. Enerhiya imbakan at kapangyarihan grid application ay tumatanggap ng pagtaas ng pansin bilang mundo focus sa mas mahusay at cost-effective na enerhiya pamamahala solusyon.

“Nasisiyahan kami sa antas ng tiwala na ipinahayag ng iba't ibang opisina sa loob ng US Department sa Enerhiya tungkol sa aming mataas na kapangyarihan aparato solusyon. Injecting ang pagpopondong ito sa aming mga advanced na programa ng Sic teknolohiya ay magreresulta sa isang industriya-nangungunang linya Sic aparato,” sinabi ni GeneSic president, Dr. rantso singh. “Ang mga device na binuo sa mga proyektong ito pangako upang magbigay ng kritikal na teknolohiya upang suportahan ang isang mas mahusay na kapangyarihan grid, at bubuksan ang pinto sa bagong komersyal at militar hardware teknolohiya na nanatiling hindi naisasagawa dahil sa mga limitasyon ng mga kontemporaryo silicon-based na teknolohiya.”

Kabilang sa tatlong proyekto ang:

  • Isang bagong Phase I SBIR award na nakatuon sa mataas na kasalukuyang, multi-kV Thyristor-based na aparato na naka-gear patungo sa enerhiya imbakan application.
  • Isang Phase II SBIR follow-on award para sa pag-unlad ng multi-kV Sic power aparato para sa mataas na kapangyarihan RF system application na iginawad ng DOE Office of Science.
  • Isang Phase I STTR award na nakatuon sa optika gated mataas na boltahe, mataas na dalas Sic kapangyarihan aparato para sa mga kapaligiran mayaman sa electro-magnetic interference, kabilang ang mataas na kapangyarihan RF enerhiya sistema, at direktang sistema ng enerhiya.

Kasama ang mga award, GeneSiC ay kamakailan-lamang na relocated operasyon sa isang pinalawak na laboratoryo at opisina gusali sa Dulles, Virginia, makabuluhang pag-upgrade ng kanyang mga kagamitan, imprastraktura at ay sa proseso ng pagdaragdag ng karagdagang key tauhan.

“GeneSiC capitalizes sa kanyang pangunahing kahusayan sa aparato at proseso disenyo upang bumuo ng ang pinakamahusay na posibleng Sic device para sa kanyang mga customer, backing na may access sa isang malawak na suite ng tela, katangian at pagsusuri ng mga pasilidad,” concluded Dr. Singh. “Pakiramdam namin ang mga kakayahang iyon ay epektibong napatibay ng US DOE sa mga bago at follow-on award na ito.”

Karagdagang impormasyon tungkol sa kumpanya at mga produkto nito ay maaaring makuha sa pamamagitan ng pagtawag GeneSiC sa 703-996-8200 o sa pamamagitan ng pagbisita www.genesicsemi.com.