Alto voltaje, Diodos Schottky SiC sin recuperación inversa para habilitar críticamente inversores solares y ensamblajes de alto voltaje al ofrecer capacidades de montaje en superficie de factor de forma más pequeño
Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una familia de SMB estándar de la industria (JEDEC DO-214AA) rectificadores de SiC empaquetados en el 650 - 3300 Rango V. Incorporando estos de alto voltaje, libre de recuperación inversa, Los diodos de SiC con capacidad de alta frecuencia y alta temperatura aumentarán la eficiencia de conversión y reducirán el tamaño / peso / volumen de conjuntos de varios kV. Estos productos están dirigidos a inversores micro-solares, así como a circuitos multiplicadores de voltaje utilizados en una amplia gama de rayos X, Fuentes de alimentación para generadores de partículas y láser.
Los inversores micro-solares contemporáneos y los circuitos multiplicadores de voltaje pueden sufrir bajas eficiencias de circuito y grandes tamaños debido a las corrientes de recuperación inversa de los rectificadores de silicio.. A temperaturas de unión del rectificador más altas, esta situación empeora porque la corriente de recuperación inversa en los rectificadores de silicio aumenta con la temperatura. Con limitaciones térmicas en conjuntos de alta tensión, Las temperaturas de unión aumentan con bastante facilidad incluso cuando se pasan corrientes moderadas.. Los rectificadores de SiC de alto voltaje ofrecen características únicas que prometen revolucionar los inversores micro-solares y los conjuntos de alto voltaje.. GeneSiC’s 650 V / 1 A; 1200 V / 2 A y 3300 Los rectificadores Schottky V / 0.3 A cuentan con corriente de recuperación inversa cero que no cambia con la temperatura. La 3300 Los dispositivos con clasificación V ofrecen un voltaje relativamente alto en un solo dispositivo, lo que permite una reducción en las etapas de multiplicación de voltaje requeridas en los circuitos típicos del generador de alto voltaje., mediante el uso de voltajes de entrada de CA más altos. Las características de conmutación casi ideales permiten la eliminación / reducción drástica de las redes de equilibrio de voltaje y los circuitos amortiguadores.. La pyme (DO-214AA) El paquete sobremoldeado presenta un factor de forma estándar de la industria para ensamblajes de montaje en superficie.
“Estas ofertas de productos provienen de años de esfuerzos de desarrollo sostenidos en GeneSiC para ofrecer dispositivos y paquetes atractivos. Creemos que el factor de forma SMB es un diferenciador clave para el mercado de inversores micro solares y multiplicadores de voltaje., y permitirá importantes beneficios a nuestros clientes. VF bajo de GeneSiC, Los rectificadores Schottky de SiC de baja capacitancia y los paquetes SMB mejorados permiten este producto innovador” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
1200 Diodo Schottky V / 2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Aspectos técnicos destacados
- VF típico = 1.5 V
- Tjmax = 175OC
- Carga de recuperación inversa = 14 Carolina del Norte.
3300 Diodo Schottky V / 0.3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Aspectos técnicos destacados
- VF típico = 1.7 V
- Tjmax = 175OC
- Carga de recuperación inversa = 52 Carolina del Norte.
650 Diodo Schottky V / 1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Aspectos técnicos destacados
- VF típico = 1.5 V
- Tjmax = 175OC
- Carga de recuperación inversa = 7 Carolina del Norte.
Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en libre de halógenos, SMB compatible con RoHS (DO-214AA) paquetes. Se ofrecen modelos de circuito SPICE y soporte técnico. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.
Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.
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