GeneSiC es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos..
GeneSiC La tecnología juega un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Nuestra tecnología permite la recolección eficiente de fuentes de energía renovables..
GeneSiC los componentes electrónicos funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente. Poseemos patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta alcanzar $1 mil millones por 2022.
Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.
Si está interesado en ponerse en contacto con GeneSiC en relación con las relaciones con los inversores, por favor envíe un correo electrónico a inversores@genesicsemi.com
presidente
 | Dr. Ranbir Singh fundó GeneSiC Semiconductor Inc. en 2004. Antes de eso, realizó una investigación sobre dispositivos de potencia de SiC primero en Cree Inc, y luego en el NIST, Gaithersburg, Maryland. Ha desarrollado una comprensión crítica y publicado sobre una amplia gama de dispositivos de potencia de SiC, incluido PiN, Diodos JBS y Schottky, MOSFET, IGBT, Tiristores y tiristores controlados por campo. Recibió su doctorado. y Maestría en Ingeniería Eléctrica e Informática, de la Universidad Estatal de Carolina del Norte, Raleigh, CAROLINA DEL NORTE, y B. Tecnología del Instituto Indio de Tecnología, Delhi. En 2012, EE Times nombrado Dr.. Singh como entre "Cuarenta innovadores que construyen las bases de la industria de la electrónica de próxima generación." En 2011, el ganó la R&Premio D100 por sus esfuerzos en la comercialización de tiristores de SiC de 6,5 kV. Ha publicado sobre 200 artículos de revistas y conferencias, es un autor en más 30 patentes de EE. UU. emitidas, y ha escrito un libro. |
Vicepresidente de tecnología
 | Dr. Siddarth Sundaresan es el vicepresidente de tecnología de GeneSiC. Recibió su M.S. y doctorado. grados en Ingeniería Eléctrica de la Universidad George Mason en 2004 http 2007, respectivamente. Dr. Sundaresan ha publicado más de 65 artículos técnicos y actas de congresos en el dispositivo, Materiales y aspectos de procesamiento de dispositivos de potencia fabricados con SiC y GaN.. Ha formado parte del comité del programa técnico de la Conferencia Internacional sobre SiC y Materiales Relacionados. (ICSCRM) y es miembro actual del comité técnico del Simposio internacional sobre circuitos integrados y dispositivos semiconductores de potencia (ISPSD). |
