La promesa de alta temperatura en transistores de SiC realizada a través de paquetes estándar de la industria compatibles mejorará de manera crítica los actuadores y fuentes de alimentación de fondo de pozo y aeroespaciales
Dulles, Virginia., dic 10, 2013 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) Power Semiconductors anuncia hoy la disponibilidad inmediata a través de sus distribuidores y directamente una familia empaquetada de alta temperatura 600 Transistores de unión V SiC (SJT) http 3-50 Corriente nominal de amperios en paquetes de montaje en superficie y orificio pasante estándar de la industria JEDEC. Incorporando estas altas temperaturas, baja resistencia, Transistores SiC de alta frecuencia en paquetes herméticos, Las soldaduras y encapsulamiento a alta temperatura aumentarán la eficiencia de conversión y reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones de conversión de energía a alta temperatura..
Fuente de alimentación de alta temperatura contemporánea, Los circuitos de control de motores y actuadores utilizados en aplicaciones de petróleo / gas / fondo de pozo y aeroespaciales adolecen de la falta de disponibilidad de una solución viable de carburo de silicio de alta temperatura.. Los transistores de silicio sufren de bajas eficiencias de circuito y grandes tamaños porque sufren de altas corrientes de fuga y bajas características de conmutación deficientes. Ambos parámetros empeoran a temperaturas de unión más altas.. Con entornos con restricciones térmicas, Las temperaturas de unión aumentan con bastante facilidad incluso cuando se pasan corrientes moderadas.. Los transistores de SiC herméticamente empaquetados ofrecen características únicas que prometen revolucionar la capacidad de las aplicaciones aeroespaciales y de fondo de pozo.. GeneSiC’s 650 Los transistores de unión V / 3-50 A SiC cuentan con tiempos de conmutación cercanos a cero que no cambian con la temperatura. La 210OLos dispositivos con clasificación de temperatura de unión C ofrecen márgenes de temperatura relativamente grandes para aplicaciones que operan en entornos extremos.
Los transistores de unión ofrecidos por GeneSiC exhiben una capacidad de conmutación ultrarrápida, un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), así como pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación independientes de la temperatura. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de ser impulsados por comerciales, comúnmente disponible 15 Controladores de puerta V IGBT, a diferencia de otros interruptores de SiC. Al tiempo que ofrece compatibilidad con controladores SiC JFET, Los transistores de unión SiC se pueden conectar en paralelo fácilmente debido a sus características transitorias coincidentes.
“A medida que los diseñadores de aplicaciones aeroespaciales y de fondo de pozo continúan ampliando los límites de la frecuencia operativa, sin dejar de exigir altas eficiencias de circuito, necesitan interruptores de SiC que puedan ofrecer un estándar de rendimiento, fiabilidad y uniformidad de producción. Utilizando el dispositivo único y las innovaciones de fabricación, Los productos SJT de GeneSiC ayudan a los diseñadores a lograr todo eso en una solución más robusta. Estos productos complementan el rectificador de SiC empaquetado hermético lanzado el año pasado por GeneSiC, y los productos de troquel desnudo lanzados a principios de este año, mientras nos allana el camino para ofrecer alta temperatura, baja inductancia, módulos de potencia en un futuro próximo ” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
Aislado TO-257 con 600 En SJT:
- 65 mOhms / 20 amperios (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 amperios (2N7637-GA); http 425 mOhms / 4 amperios (2N7635-GA)
- Tjmax = 210OC
- Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico.
- Matriz desnuda correspondiente GA20JT06-CAL (en 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (en 2N7637-GA); y GA05JT06-CAL (en 2N7635-GA)
Paquete prototipo TO-258 no aislado con 600 SJT
- 25 mOhms / 50 amperios (Paquete prototipo GA50JT06-258)
- Tjmax = 210OC
- Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico.
- Matriz desnuda correspondiente GA50JT06-CAL (en GA50JT06-258)
Montaje en superficie TO-276 (SMD0.5) con 600 SJT
- 65 mOhms / 20 amperios (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 amperios (2N7638-GA); http 425 mOhms / 4 amperios (2N7636-GA)
- Tjmax = 210OC
- Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <50 nanosegundos típico.
Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en paquetes herméticos. Se ofrecen modelos de circuito SPICE y soporte técnico. Los dispositivos están disponibles de inmediato en GeneSiC directamente y / o a través de sus distribuidores autorizados..
Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como productos rectificadores de silicona. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, abajo ole perforación de petróleo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. GeneSiC ha obtenido numerosos contratos de investigación y desarrollo de agencias gubernamentales de EE. UU., incluido el ARPA-E, Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, DTRA, y el Departamento de Seguridad Nacional, así como los principales contratistas principales del gobierno. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.
Para más información, por favor visita https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
