Energía de semiconductores, Líder de la industria en circuitos integrados de potencia de nitruro de galio, anuncia la adquisición de GeneSiC Semiconductor, Pionero del carburo de silicio

 

El Segundo, CALIFORNIA., 15 de agosto, 2022 - Energía de semiconductores (Nasdaq: NVTS), el líder de la industria en nitruro de galio (GaN) circuitos integrados de potencia, anunció hoy la adquisición de GeneSiC Semiconductor, un carburo de silicio (Sic) pionero con gran experiencia en el diseño y proceso de dispositivos de potencia de SiC. La transacción beneficia inmediatamente a Navitas, ya que GeneSiC es altamente rentable., con más que 25% márgenes EBITDA. Calendario 2022 Se espera que los ingresos sean aproximadamente $25 millones con tasas de crecimiento anual demostradas de más de 60%. La compañía combinada crea una completa, cartera de tecnología líder en la industria en semiconductores de potencia de próxima generación, tanto GaN como SiC, con una oportunidad de mercado agregada estimada en más de $20 mil millones por año por 2026.

“GeneSiC es un socio ideal para Navitas con su enfoque y éxito en el desarrollo de tecnología SiC líder en la industria.,dijo Gen Sheridan, CEO y cofundador de Navitas. “Navitas tiene importantes inversiones en ventas globales, equipos de operaciones y soporte técnico, junto con centros de diseño de sistemas en vehículos eléctricos y centros de datos. Estas capacidades son un complemento perfecto para GeneSiC y acelerarán aún más su crecimiento en mercados y clientes sinérgicos y nuevos.. Este Dia, hemos dado un paso importante en la misión de nuestra empresa de "Electrificar nuestro mundo™" e impulsar la transición de nuestro planeta de combustibles fósiles a combustibles limpios, eficiente, energía eléctrica."

“Protegido por patente de GeneSiC, tecnología avanzada e innovadora, equipo experimentado son factores críticos en el crecimiento de nuestra empresa. Nuestros MOSFET de SiC ofrecen el rendimiento más alto de la industria, fiabilidad, y robustez: parámetros críticos para la adopción generalizada de vehículos eléctricos y la infraestructura asociada,” dijo el presidente de GeneSiC, el Dr.. Ranbir Singh. “Con casi 20 años de vanguardia R&D, plataformas probadas, sobre 500 clientes diversos, y el crecimiento de los ingresos y la rentabilidad, podemos aprovechar la experiencia en producción en masa y la estrategia de comercialización de Navitas para acelerar los ingresos de SiC. Estamos muy entusiasmados con esta nueva asociación”.

Dr. Singh se une a Navitas como vicepresidente ejecutivo del negocio de GeneSiC y Navitas espera retener a todos los miembros del equipo de GeneSiC..

En semiconductores de potencia, tanto GaN como SiC son materiales superiores al silicio heredado, permitiendo velocidades más altas, mayor ahorro de energía, carga más rápida, y tamaño significativamente reducido, peso, y costo. Juntos, estos complementarios, los materiales de próxima generación abordan una amplia gama de aplicaciones de cargadores de teléfonos inteligentes de 20 W, a cargadores EV de 20kW, a sistemas de infraestructura de red de 20MW y todo lo demás. Con más de 500 clientes, la adquisición de GeneSiC ofrece mercados y clientes diversificados y sinérgicos, y acelera los ingresos de Navitas en estrategias, aplicaciones de mayor potencia:

  • Vehículo eléctrico: Los circuitos integrados Navitas GaN están optimizados para sistemas EV de 400 V, y la tecnología GeneSiC es ideal para sistemas EV de 800 V, con clientes de ingresos y desarrollo existentes que incluyen BYD, el líder mundial #1 proveedor de vehículos eléctricos, Land Rover, mercedes amg, Geely, brillante, LG magna, Saab, e Innovación, junto con decenas de otros.
  • Solar & Almacen de energia: Los circuitos integrados Navitas GaN dan servicio a la energía solar residencial, mientras que GeneSiC tiene ingresos inmediatos en mayor potencia, clientes comerciales de almacenamiento de energía y energía solar, incluyendo APS, Energía avanzada, Chint, bronceado, Grovatio, CATL, Exide y muchos otros.
  • Mercados industriales más amplios: Los productos de alto voltaje GeneSiC generan ingresos inmediatos en una amplia gama de mercados industriales adicionales que incluyen el ferrocarril, UPS, viento, red eléctrica, motores industriales, e imágenes médicas.

Detalles de la transacción

Se espera que la adquisición de GeneSiC aumente inmediatamente las ganancias por acción de Navitas.. La contraprestación total consistió en aproximadamente $100 millones en efectivo, 24.9 millones de acciones de Navitas y posibles pagos de ganancias de hasta $25 millones condicionado al logro de objetivos de ingresos sustanciales para el negocio de GeneSiC durante los cuatro trimestres fiscales que finalizan en septiembre 30, 2023. Más información sobre GeneSiC está disponible en ir.navitassemi.com.

Asesores

Jefferies LLC actuó como asesor financiero de Navitas y Bank of America actuó como asesor financiero de GeneSiC. Grupo Jurídico TCF, PLLC actuó como asesor legal de Navitas y Gibson, Dunn & Crutcher LLP actuó como asesor legal de GeneSiC.

Información sobre conferencias telefónicas y webcasts

La adquisición de GeneSiC se discutirá como parte de Navitas Q2 2022 llamada de ganancias:

Cuando: Lunes, agosto 15el, 2022

Tiempo: 2:00 pm. Pacífico / 5:00 pm. Oriental

Acceso telefónico gratuito: (800) 715-9871 o (646) 307-1963

Identificación de la conferencia: 6867001

Transmisión web en vivo: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Repetición: Se podrá acceder a una repetición de la llamada desde la sección de Relaciones con Inversionistas del sitio web de la Compañía en https://ir.navitassemi.com/.

Declaración de precaución con respecto a las declaraciones prospectivas

Este comunicado de prensa incluye "declaraciones prospectivas" en el sentido de la Sección 21E de la Ley de Bolsa de Valores de 1934, como enmendado. Las declaraciones prospectivas pueden identificarse mediante el uso de palabras como "esperamos" o "se espera que sean," "estimar," "plan," "proyecto," "pronóstico," "pretender," "anticipar," "creer," "buscar,” u otras expresiones similares que predicen o indican eventos o tendencias futuras o que no son declaraciones de asuntos históricos. Estas declaraciones prospectivas incluyen, pero no se limitan a, declaraciones sobre estimaciones y pronósticos de otras métricas financieras y de desempeño y proyecciones de oportunidades de mercado y participación de mercado. Estas declaraciones se basan en varias suposiciones, ya sea identificado o no en este comunicado de prensa. Estas declaraciones también se basan en las expectativas actuales de la administración de Navitas y no son predicciones del desempeño real.. Dichas declaraciones prospectivas se proporcionan solo con fines ilustrativos y no pretenden servir como, y no debe ser invocado por ningún inversionista como, una garantía, una seguridad, una predicción o una declaración definitiva de hecho o probabilidad. Los eventos y circunstancias reales son difíciles o imposibles de predecir y diferirán de las suposiciones y expectativas.. Muchos eventos y circunstancias reales que afectan el desempeño están fuera del control de Navitas. Las declaraciones prospectivas están sujetas a una serie de riesgos e incertidumbres., incluyendo la posibilidad de que el crecimiento esperado de los negocios de Navitas y GeneSiC no se realice, o no se realizará dentro de los plazos previstos, debido a, entre otras cosas, la falla en la integración exitosa de GeneSiC en los sistemas comerciales y operativos de Navitas; el efecto de la adquisición en las relaciones con clientes y proveedores o la falta de retención y expansión de esas relaciones; el éxito o el fracaso de otros esfuerzos de desarrollo empresarial; Condición financiera y resultados de operación de Navitas; La capacidad de Navitas para predecir con precisión los ingresos futuros con el fin de presupuestar y ajustar adecuadamente los gastos de Navitas.; La capacidad de Navitas para diversificar su base de clientes y desarrollar relaciones en nuevos mercados; La capacidad de Navitas para escalar su tecnología en nuevos mercados y aplicaciones; los efectos de la competencia en el negocio de Navitas, incluyendo acciones de competidores con presencia establecida y recursos en mercados que esperamos penetrar, incluidos los mercados de carburo de silicio; el nivel de demanda en los mercados finales de los clientes de Navitas y GeneSiC, tanto en general como con respecto a las sucesivas generaciones de productos o tecnología; La capacidad de atracción de Navitas, capacitar y retener al personal calificado clave; cambios en las políticas comerciales del gobierno, incluida la imposición de aranceles; el impacto de la pandemia de COVID-19 en el negocio de Navitas, resultados de operaciones y condicion financiera; El impacto de la pandemia de COVID-19 en la economía mundial, incluyendo, entre otros, la cadena de suministro de Navitas y las cadenas de suministro de clientes y proveedores; desarrollos regulatorios en los Estados Unidos y países extranjeros; y la capacidad de Navitas para proteger sus derechos de propiedad intelectual. Estos y otros factores de riesgo se analizan en el Sección Factores de riesgo comenzando en p. 11 de nuestro informe anual en el Formulario 10-K por el año terminado en diciembre 31, 2021, que presentamos ante la Comisión de Bolsa y Valores (el segundo") en marzo 31, 2022 y como se modificó posteriormente, y en otros documentos que presentamos ante la SEC, incluidos nuestros informes trimestrales en el Formulario 10-Q. Si cualquiera de estos riesgos se materializa o nuestras suposiciones resultan incorrectas, los resultados reales podrían diferir materialmente de los resultados implícitos en estas declaraciones prospectivas. Puede haber riesgos adicionales de los que Navitas no es consciente o que Navitas actualmente cree que son irrelevantes que también podrían causar que los resultados reales difieran materialmente de los contenidos en las declaraciones prospectivas.. Además, las declaraciones prospectivas reflejan las expectativas de Navitas, planes o pronósticos de eventos futuros y vistas a la fecha de este comunicado de prensa. Navitas anticipa que los eventos y desarrollos posteriores harán que las evaluaciones de Navitas cambien. Sin embargo, mientras que Navitas puede optar por actualizar estas declaraciones prospectivas en algún momento en el futuro, Navitas renuncia específicamente a cualquier obligación de hacerlo.. No se debe confiar en estas declaraciones prospectivas como representativas de las evaluaciones de Navitas a partir de cualquier fecha posterior a la fecha de este comunicado de prensa..

Acerca de Navitas

Energía de semiconductores (Nasdaq: NVTS) es el líder de la industria en nitruro de galio (GaN) circuitos integrados de potencia, fundado en 2014. Los circuitos integrados de alimentación GaNFast™ integran la alimentación GaN con la unidad, control, detección y protección para permitir una carga más rápida, mayor densidad de potencia y mayor ahorro de energía para dispositivos móviles, consumidor, centro de datos, Mercados de vehículos eléctricos y solares. Sobre 165 Patentes de Navitas emitidas o pendientes. Sobre 50 Se han enviado millones de unidades con cero fallas de campo de GaN informadas., y Navitas introdujeron la primera y única garantía de 20 años de la industria. Navitas es la primera empresa de semiconductores del mundo en ser CarbonNeutral®-certificado.

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

Semiconductor GeneSiC es pionera y líder mundial en carburo de silicio (Sic) tecnología. Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y más económicamente y desempeñan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de energía de banda prohibida amplia, un mercado que se proyecta llegará a más de $5 mil millones por 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, el proceso y la tecnología agregan más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costo que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio.

Información del contacto

Medios de comunicación

graham robertson, CMO Grandes Puentes

Graham@GrandBridges.com

inversores

Esteban Oliver, Vicepresidente de Marketing Corporativo & Relaciones con inversionistas

ir@navitassemi.com

Energía de semiconductores, GaNFast, GaNSense y el logotipo de Navitas son marcas comerciales o marcas comerciales registradas de Navitas Semiconductor Limited. Todas las demás marcas, los nombres y marcas de productos son o pueden ser marcas comerciales o marcas comerciales registradas utilizadas para identificar productos o servicios de sus respectivos propietarios.

Los MOSFET G3R ™ de 750 V SiC ofrecen un rendimiento y una fiabilidad incomparables

750MOSFET V G3R SiC

DULLES, Virginia, junio 04, 2021 — Los MOSFET de SiC 750V G3R ™ de última generación de GeneSiC ofrecerán niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen bajas caídas de estado a temperaturas de funcionamiento, velocidades de conmutación más rápidas, mayor densidad de potencia, timbre mínimo (baja EMI) y tamaño de sistema compacto. G3R ™ de GeneSiC, ofrecido en paquetes discretos optimizados de baja inductancia (SMD y agujero pasante), están optimizados para funcionar con las pérdidas de energía más bajas en todas las condiciones de funcionamiento y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los MOSFET SiC contemporáneos..

750MOSFET V G3R SiC

“El uso de energía de alta eficiencia se ha convertido en un producto crítico en los convertidores de energía de próxima generación y los dispositivos de energía SiC continúan siendo los componentes clave que impulsan esta revolución. Después de años de trabajo de desarrollo para lograr la resistencia en estado más baja y un rendimiento robusto contra cortocircuitos y avalanchas, Estamos muy contentos de lanzar los MOSFET de SiC de 750 V de mejor rendimiento de la industria.. Nuestro G3R ™ permite a los diseñadores de electrónica de potencia cumplir con la exigente eficiencia, Densidad de potencia y objetivos de calidad en aplicaciones como inversores solares., Cargadores de vehículos eléctricos a bordo y fuentes de alimentación de servidor / telecomunicaciones. Una calidad asegurada, respaldado por una producción de alto volumen de respuesta rápida y calificada para la industria automotriz mejora aún más su propuesta de valor. ” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • El cargo por puerta más bajo de la industria (QGRAMO) y resistencia interna de la puerta (RG(EN T))
  • R más bajoDS(EN) cambiar con la temperatura
  • Capacitancia de salida baja (Cnosotros) y capacitancia de miler (CGD)
  • 100% avalancha (UIL) probado durante la producción
  • Capacidad de resistencia a cortocircuitos líder en la industria
  • Diodo de cuerpo rápido y confiable con baja VF y bajo QRR
  • Voltaje de umbral de puerta alto y estable (VTH) en todas las condiciones de temperatura y desviación de drenaje
  • Tecnología de envasado avanzada para menor resistencia térmica y menor timbre
  • Uniformidad de fabricación de RDS(EN), VTH y voltaje de ruptura (BV)
  • Cartera de productos completa y cadena de suministro más segura con fabricación de alto volumen calificada para la industria automotriz

Aplicaciones –

  • Solar (PV) Inversores
  • EV / Cargadores a bordo HEV
  • Servidor & Fuentes de alimentación para telecomunicaciones
  • Fuente de poder ininterrumpida (UPS)
  • Convertidores DC-DC
  • Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
  • Almacenamiento de energía y carga de baterías
  • Calentamiento por inducción

Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercio MOSFET de SiC

G3R60MT07K - 750 V 60 mΩ TO-247-4 G3R&comercio MOSFET de SiC

G3R60MT07D - 750 V 60 mΩ TO-247-3 G3R&comercio MOSFET de SiC

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contactar sales@genesicsemi.com

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

Electrónica Digi-Key

Newark Farnell element14

Electrónica de Mouser

Arrow Electronics

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

5Diodos Schottky MPS ™ de generación de 650 V SiC para la mejor eficiencia en su clase

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, Virginia, Mayo 28, 2021 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores de potencia, anuncia la disponibilidad de la quinta generación (Serie GE ***) Rectificadores SiC Schottky MPS ™ que están estableciendo un nuevo punto de referencia con su índice superior de precio-rendimiento, Corriente de sobretensión líder en la industria y robustez ante avalanchas., y fabricación de alta calidad.

“GeneSiC fue uno de los primeros fabricantes de SiC en suministrar comercialmente rectificadores Schottky de SiC en 2011. Después de más de una década de suministrar rectificadores de SiC de alto rendimiento y alta calidad en la industria, estamos emocionados de lanzar nuestra quinta generación de SiC Schottky MPS ™ (Fusionada-PiN-Schottky) diodos que ofrecen un rendimiento líder en la industria en todos los aspectos para cumplir con los objetivos de alta eficiencia y densidad de potencia en aplicaciones como fuentes de alimentación de servidor / telecomunicaciones y cargadores de batería. La característica revolucionaria que hace que nuestra quinta generación (Serie GE ***) Los diodos SiC Schottky MPS ™ se destacan entre sus pares es el bajo voltaje incorporado (también conocido como voltaje de rodilla);Permite pérdidas por conducción de diodos más bajas en todas las condiciones de carga, lo que es crucial para aplicaciones que exigen un uso de energía de alta eficiencia.. A diferencia de otros diodos SiC de la competencia, también diseñados para ofrecer características de rodilla baja, una característica adicional de nuestros diseños de diodos Gen5 es que aún mantienen ese alto nivel de avalancha (UIL) la robustez que nuestros clientes esperan de Gen3 de GeneSiC (Serie GC ***) y Gen4 (Serie GD ***) SiC Schottky MPS ™” dijo el Dr.. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente de tecnología de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • Voltaje incorporado bajo – Pérdidas de conducción más bajas para todas las condiciones de carga
  • Figura superior de mérito – QC x VF
  • Rendimiento de precio óptimo
  • Capacidad de sobrecorriente mejorada
  • 100% avalancha (UIL) Probado
  • Resistencia térmica baja para un funcionamiento más frío
  • Recuperación cero hacia adelante y hacia atrás
  • Conmutación rápida independiente de la temperatura
  • Coeficiente de temperatura positivo de VF

Aplicaciones –

  • Diodo de refuerzo en la corrección del factor de potencia (PFC)
  • Fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones
  • Inversores solares
  • Fuente de poder ininterrumpida (UPS)
  • Cargadores de bateria
  • Libre / Diodo antiparalelo en inversores

GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

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GE12MPS06A - 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D - 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D - 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

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Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

Nuevos MOSFET SiC de tercera generación de GeneSiC con la mejor figura de méritos de la industria

DULLES, Virginia, Febrero 12, 2020 — MOSFET de SiC 1200V G3R ™ de última generación de GeneSiC Semiconductor con RDS(EN) niveles que van desde 20 mΩ a 350 mΩ ofrece niveles de rendimiento sin precedentes, robustez y calidad que supera a sus homólogos. Los beneficios del sistema incluyen una mayor eficiencia, frecuencia de conmutación más rápida, mayor densidad de potencia, timbre reducido (EMI) y tamaño de sistema compacto.

GeneSiC anuncia la disponibilidad de sus MOSFET de carburo de silicio de tercera generación líderes en la industria que cuentan con un rendimiento líder en la industria, robustez y calidad para aprovechar niveles nunca antes vistos de eficiencia y confiabilidad del sistema en aplicaciones automotrices e industriales.

Estos MOSFET de SiC G3R ™, ofrecido en paquetes discretos optimizados de baja inductancia (SMD y agujero pasante), están altamente optimizados para diseños de sistemas de energía que requieren niveles elevados de eficiencia y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los productos de la competencia.. Una calidad asegurada, respaldado por una fabricación de alto volumen de respuesta rápida mejora aún más su propuesta de valor.

“Después de años de trabajo de desarrollo para lograr la resistencia en estado más baja y un mejor rendimiento en cortocircuitos, Estamos entusiasmados de lanzar los MOSFET de 1200 V SiC de mejor rendimiento de la industria con más de 15+ productos discretos y desnudos. Si los sistemas de electrónica de potencia de próxima generación van a cumplir con la desafiante eficiencia, Densidad de potencia y objetivos de calidad en aplicaciones como la automoción., industrial, energía renovable, transporte, TI y telecomunicaciones, luego requieren un rendimiento y una confiabilidad del dispositivo significativamente mejorados en comparación con los MOSFET de SiC actualmente disponibles” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • Superior QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito – Los MOSFET de SiC G3R ™ cuentan con la resistencia en estado más baja de la industria con una carga de puerta muy baja, resultando en 20% mejor figura de mérito que cualquier otro dispositivo similar de la competencia
  • Pérdidas de conducción bajas a todas las temperaturas – Los MOSFET de GeneSiC presentan la dependencia de temperatura más suave de la resistencia en estado para ofrecer pérdidas de conducción muy bajas a todas las temperaturas.; significativamente mejor que cualquier otro MOSFET de SiC plano y de trinchera del mercado
  • 100 % avalancha probado – La sólida capacidad de UIL es un requisito fundamental para la mayoría de las aplicaciones de campo. Los MOSFET discretos de 1200 V SiC de GeneSiC son 100 % avalancha (UIL) probado durante la producción
  • Carga de puerta baja y resistencia de puerta interna baja – Estos parámetros son fundamentales para lograr una conmutación ultrarrápida y lograr la máxima eficiencia. (bajo Eon -Eoff) en una amplia gama de frecuencias de conmutación de aplicaciones
  • Funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C – Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC están diseñados y fabricados con procesos de vanguardia para ofrecer productos que son estables y confiables en todas las condiciones de operación sin ningún riesgo de mal funcionamiento.. La calidad superior de óxido de puerta de estos dispositivos evita cualquier umbral (VTH) deriva
  • Capacidades de dispositivo bajas – G3R ™ están diseñados para conducir más rápido y más eficientemente con sus bajas capacitancias de dispositivos - Ciss, Coss y Crss
  • Diodo de cuerpo rápido y confiable con baja carga intrínseca – Los MOSFET de GeneSiC cuentan con una carga de recuperación inversa baja de referencia (QRR) a todas las temperaturas; 30% mejor que cualquier dispositivo de la competencia con calificación similar. Esto ofrece una mayor reducción de las pérdidas de energía y aumenta las frecuencias de funcionamiento.
  • Facilidad de uso – Los MOSFET de SiC G3R ™ están diseñados para funcionar a + 15V / -5Unidad de puerta V. Esto ofrece la más amplia compatibilidad con los controladores de puerta IGBT y SiC MOSFET comerciales existentes.

Aplicaciones –

  • Vehículo eléctrico – Tren de fuerza y ​​carga
  • Inversor solar y almacenamiento de energía
  • Accionamiento de motor industrial
  • Fuente de poder ininterrumpible (UPS)
  • Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
  • Convertidores DC-DC bidireccionales
  • Smart Grid y HVDC
  • Calentamiento y soldadura por inducción
  • Aplicación de energía pulsada

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

Electrónica Digi-Key

Newark Farnell element14

Electrónica de Mouser

Arrow Electronics

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contactar sales@genesicsemi.com

Todos los MOSFET de SiC de GeneSiC Semiconductor están destinados a aplicaciones automotrices (AEC-q101) y compatible con PPAP. Todos los dispositivos se ofrecen en el estándar de la industria D2PAK, Paquetes TO-247 y SOT-227.

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

Los MOSFET SiC de GeneSiC de 3300V y 1700V 1000mΩ revolucionan la miniaturización de las fuentes de alimentación auxiliares

DULLES, Virginia, diciembre 4, 2020 — GeneSiC anuncia la disponibilidad de los MOSFET discretos de SiC de 3300 V y 1700 V líderes en la industria que están optimizados para lograr una miniaturización incomparable, confiabilidad y ahorro de energía en energía de limpieza industrial.

Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una cartera completa de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia, anuncia hoy la disponibilidad inmediata de los MOSFET SiC de 3300V y 1700V 1000mΩ de próxima generación - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, y G2R1000MT33J. Estos MOSFET de SiC permiten niveles de rendimiento superiores, basado en figuras emblemáticas de mérito (FoM) que mejoran y simplifican los sistemas de energía a través del almacenamiento de energía, energía renovable, motores industriales, inversores de uso general e iluminación industrial. Los productos lanzados son:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 MOSFET SiC

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 MOSFET SiC

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 MOSFET SiC

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 MOSFET SiC

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 MOSFET SiC

Nuevos MOSFET SiC de 3300 V y 1700 V de GeneSiC, disponible en opciones de 1000mΩ y 450mΩ como paquetes discretos SMD y Through-Hole, están altamente optimizados para diseños de sistemas de energía que requieren niveles elevados de eficiencia y velocidades de conmutación ultrarrápidas. Estos dispositivos tienen niveles de rendimiento sustancialmente mejores en comparación con los productos de la competencia.. Una calidad asegurada, respaldado por una fabricación de alto volumen de entrega rápida mejorar aún más su propuesta de valor.

“En aplicaciones como inversores solares de 1500 V, el MOSFET en la fuente de alimentación auxiliar puede tener que soportar voltajes en el rango de 2500V, dependiendo de la tensión de entrada, relación de vueltas del transformador y la tensión de salida. Los MOSFET de alto voltaje de ruptura evitan la necesidad de interruptores conectados en serie en Flyback, Convertidores Boost y Forward que reducen el recuento de piezas y reducen la complejidad del circuito. Los MOSFET discretos de SiC de 3300 V y 1700 V de GeneSiC permiten a los diseñadores utilizar una topología basada en un único interruptor más simple y, al mismo tiempo, proporcionan a los clientes, sistema compacto y rentable” dijo Sumit Jadav, Gerente Senior de Aplicaciones en GeneSiC Semiconductor.

Caracteristicas –

  • Índice superior de precio-rendimiento
  • Buque insignia QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito
  • Capacidad intrínseca baja y carga de puerta baja
  • Bajas pérdidas a todas las temperaturas
  • Gran robustez ante avalanchas y cortocircuitos
  • Voltaje de umbral de referencia para un funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C

Aplicaciones –

  • Energía renovable (inversores solares) y almacenamiento de energía
  • Motores industriales (y vínculo)
  • Inversores de propósito general
  • Iluminación industrial
  • Controladores piezoeléctricos
  • Generadores de haz de iones

Todos los dispositivos están disponibles para su compra a través de distribuidores autorizados. – www.genesicsemi.com/sales-support

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contactar sales@genesicsemi.com

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

MOSFET de SiC de 6,5 kV líderes en la industria de GeneSiC – la vanguardia para una nueva ola de aplicaciones

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginia, Octubre 20, 2020 — GeneSiC lanza MOSFET de carburo de silicio de 6,5 kV para liderar la vanguardia en la entrega de niveles de rendimiento sin precedentes, eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio, como tracción, energía pulsada e infraestructura de red inteligente.

Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia, hoy anuncia la disponibilidad inmediata de chips desnudos MOSFET SiC de 6.5kV - G2R300MT65-CAL y G2R325MS65-CAL. Próximamente se lanzarán módulos completos de SiC que utilizan esta tecnología. Se espera que las aplicaciones incluyan tracción, potencia pulsada, infraestructura de red inteligente y otros convertidores de potencia de media tensión.

G2R300MT65-CAL - Chip desnudo MOSFET G2R ™ SiC de 6,5 kV y 300 mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET G2R ™ SiC de 6,5 kV y 325 mΩ (con Schottky integrado) Chip desnudo

G2R100MT65-CAL - Chip desnudo MOSFET G2R ™ SiC de 6.5kV 100mΩ

La innovación de GeneSiC incluye un semiconductor de óxido metálico de doble implantación SiC (DMOSFET) estructura del dispositivo con una barrera de unión schottky (JBS) rectificador integrado en la celda unitaria SiC DMOSFET. Este dispositivo de energía de vanguardia se puede utilizar en una variedad de circuitos de conversión de energía en la próxima generación de sistemas de conversión de energía.. Otras ventajas importantes incluyen un rendimiento bidireccional más eficiente, conmutación independiente de la temperatura, bajas pérdidas de conmutación y conducción, requisitos de enfriamiento reducidos, fiabilidad superior a largo plazo, facilidad de conexión en paralelo de dispositivos y beneficios económicos. La tecnología de GeneSiC ofrece un rendimiento superior y también tiene el potencial de reducir la huella neta de material de SiC en los convertidores de potencia..

“Los MOSFET de SiC de 6.5kV de GeneSiC están diseñados y fabricados en obleas de 6 pulgadas para lograr una baja resistencia en estado, de la máxima calidad, e índice superior de precio-rendimiento. Esta tecnología MOSFET de próxima generación promete un rendimiento ejemplar, robustez superior y confiabilidad a largo plazo en aplicaciones de conversión de energía de voltaje medio.” dijo Dr. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente de tecnología en GeneSiC Semiconductor.

Características de la tecnología MOSFET SiC G2R ™ de 6.5kV de GeneSiC –

  • Alta avalancha (UIS) y robustez de cortocircuito
  • Superior QGRAMO x RDS(EN) figura de mérito
  • Pérdidas de conmutación independientes de la temperatura
  • Capacidades bajas y carga de puerta baja
  • Bajas pérdidas a todas las temperaturas
  • Funcionamiento estable normalmente apagado hasta 175 ° C
  • +20 V / -5 Unidad de puerta V

Para hoja de datos y otros recursos, visitar – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contactar sales@genesicsemi.com

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC Semiconductor es pionero y líder mundial en tecnología de carburo de silicio, mientras también invirtió en tecnologías de silicio de alta potencia. Los principales fabricantes mundiales de sistemas industriales y de defensa dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos.. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y mas economicamente, y juegan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia.. Contamos con patentes líderes en tecnologías de dispositivos de potencia de banda ancha; un mercado que se proyecta llegará a más de $1 mil millones por 2022. Nuestra competencia principal es agregar más valor a nuestros clientes’ Producto final. Nuestras métricas de rendimiento y costos están estableciendo estándares en la industria del carburo de silicio.

GeneSiC gana la prestigiosa R&Premio D100 por interruptor rectificador-transistor monolítico basado en SiC

DULLES, Virginia, diciembre 5, 2019 — R&D Magazine ha seleccionado GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como receptor del prestigioso 2019 R&D 100 Premio por el desarrollo del conmutador rectificador de transistor monolítico basado en SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovador clave en los dispositivos de potencia basados ​​en carburo de silicio fue honrado con el anuncio de que ha sido galardonado con el prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Este premio reconoce a GeneSiC por presentar uno de los más significativos, avances de investigación y desarrollo recientemente introducidos entre múltiples disciplinas durante 2018. R&D Magazine reconoció la tecnología de dispositivo de potencia SiC de voltaje medio de GeneSiC por su capacidad para integrar monolíticamente MOSFET y rectificador Schottky en un solo chip. Estas capacidades logradas por el dispositivo de GeneSiC permiten a los investigadores de electrónica de potencia desarrollar sistemas electrónicos de potencia de próxima generación, como inversores y convertidores CC-CC.. Esto permitirá el desarrollo de productos dentro de los vehículos eléctricos., infraestructura de carga, industrias de energías renovables y almacenamiento de energía. GeneSiC ha reservado pedidos de varios clientes para la demostración de hardware de electrónica de potencia avanzada que utiliza estos dispositivos y continúa desarrollando su familia de productos MOSFET de carburo de silicio.. El r&D en la versión anterior para aplicaciones de conversión de energía se desarrolló a través del Departamento de EE. UU.. de Energía y colaboración con Sandia National Laboratories.

El concurso tecnológico anual dirigido por R&D Magazine evaluó las entradas de varias empresas y actores de la industria., organizaciones de investigación y universidades de todo el mundo. Los editores de la revista y un panel de expertos externos actuaron como jueces., evaluando cada entrada en términos de su importancia para el mundo de la ciencia y la investigación.

Según R.&Revista D, ganar una R&D 100 El premio proporciona una marca de excelencia conocida en la industria, gobierno, y la academia como prueba de que el producto es una de las ideas más innovadoras del año. Este premio reconoce a GeneSiC como líder mundial en la creación de productos basados ​​en tecnología que marcan la diferencia en nuestra forma de trabajar y vivir..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

650 V con capacidad de alta corriente, 1200Diodos V y 1700V SiC Schottky MPS ™ en paquete de mini módulo SOT-227

DULLES, Virginia, Mayo 11, 2019 — GeneSiC se convierte en líder del mercado en capacidad de alta corriente (100 un y 200 UN) Diodos schottky SiC en minimódulo SOT-227

GeneSiC ha presentado GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 y GC2X100MPS06-227; los diodos schottky de SiC de 650 V y 1700 V con la corriente nominal más alta de la industria, agregando a la cartera existente de minimódulos de diodos schottky de 1200 V SiC: GB2X50MPS12-227 y GB2X100MPS12-227. Estos diodos de SiC reemplazan a los diodos de recuperación ultrarrápida basados ​​en silicio, permitiendo a los ingenieros construir circuitos de conmutación con mayor eficiencia y mayor densidad de potencia. Se espera que las aplicaciones incluyan cargadores rápidos para vehículos eléctricos., accionamientos de motor, fuentes de alimentación de transporte, rectificación de alta potencia y fuentes de alimentación industriales.

Además de la placa base aislada del paquete del minimódulo SOT-227, estos diodos recién lanzados cuentan con baja caída de voltaje directo, recuperación cero hacia adelante, recuperación inversa cero, capacitancia de unión baja y están clasificados para una temperatura máxima de funcionamiento de 175 ° C. La tecnología de diodos Schottky SiC de tercera generación de GeneSiC proporciona resistencia frente a avalanchas y picos de corriente líderes en la industria (Ifsm) robustez, combinado con fabricación de 6 pulgadas calificada para automóviles de alta calidad y tecnología avanzada de ensamblaje discreto de alta confiabilidad.

Estos diodos SiC son reemplazos directos compatibles con pines de otros diodos disponibles en el SOT-227 (mini-módulo) paquete. Beneficiándose de sus menores pérdidas de potencia (funcionamiento más fresco) y capacidad de conmutación de alta frecuencia, Los diseñadores ahora pueden lograr una mayor eficiencia de conversión y una mayor densidad de potencia en los diseños..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

GeneSiC lanza el MPS Schottky SiC 1700V de mejor rendimiento de la industria™ diodos

DULLES, Virginia, enero 7, 2019 — GeneSiC lanza una cartera completa de diodos SiC Schottky MPS ™ de tercera generación de 1700V en paquete TO-247-2

GeneSiC ha introducido GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 y GB50MPS17-247; Los diodos SiC 1700V de mejor rendimiento de la industria disponibles en el popular paquete de orificios pasantes TO-247-2. Estos diodos SiC de 1700 V reemplazan a los diodos de recuperación ultrarrápida basados ​​en silicio y otros JBS SiC de 1700 V de la vieja generación, permitiendo a los ingenieros construir circuitos de conmutación con mayor eficiencia y mayor densidad de potencia. Se espera que las aplicaciones incluyan cargadores rápidos para vehículos eléctricos., accionamientos de motor, suministros de energía para el transporte y energía renovable.

GB50MPS17-247 es un diodo Schottky PiN fusionado SiC de 1700 V 50 A, El diodo de potencia de SiC discreto de corriente nominal más alta de la industria. Estos diodos recién lanzados presentan una baja caída de voltaje directo, recuperación cero hacia adelante, recuperación inversa cero, capacitancia de unión baja y están clasificados para una temperatura máxima de funcionamiento de 175 ° C. La tecnología de diodos Schottky SiC de tercera generación de GeneSiC proporciona resistencia frente a avalanchas y picos de corriente líderes en la industria (Ifsm) robustez, combinado con fundición de 6 pulgadas calificada para automóviles de alta calidad y tecnología avanzada de ensamblaje discreto de alta confiabilidad.

Estos diodos de SiC son reemplazos directos compatibles con clavijas de otros diodos disponibles en el paquete TO-247-2. Beneficiándose de sus menores pérdidas de potencia (funcionamiento más fresco) y capacidad de conmutación de alta frecuencia, Los diseñadores ahora pueden lograr una mayor eficiencia de conversión y una mayor densidad de potencia en los diseños..

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados ​​en: (una) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; http (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desarrolla carburo de silicio (Sic) dispositivos semiconductores basados ​​en alta temperatura, radiación, y aplicaciones de red eléctrica. Esto incluye el desarrollo de rectificadores, HECHO, dispositivos bipolares, así como de partículas & detectores fotónicos. GeneSiC tiene acceso a un amplio conjunto de diseños de semiconductores, fabricación, instalaciones de caracterización y prueba para tales dispositivos. GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes.. La empresa se distingue por ofrecer productos de alta calidad que se ajustan específicamente a los requisitos de cada cliente.. GeneSiC tiene contratos primarios/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de EE. UU., incluido ARPA-E, Departamento de Energía de EE. UU., Armada, DARPA, Departamento de Seguridad Nacional, Departamento de Comercio y otros departamentos dentro del Departamento de EE. UU.. de Defensa. GeneSiC continúa mejorando rápidamente la infraestructura de equipos y personal en su Dulles, instalación de virginia. La empresa está contratando agresivamente personal con experiencia en la fabricación de dispositivos de semiconductores compuestos., pruebas de semiconductores y diseños de detectores. Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.

GeneSiC entrevistado en PCIM 2016 en Nuremberg, Alemania

Entrevistas en diseño de sistemas de energía GeneSiC

Nuremberg, Alemania mayo 12, 2016 — El presidente de GeneSiC Semiconductor fue entrevistado por Alix Paultre de Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) en la feria PCIM de Nuremberg, Alemania.