Un DMOSFET de potencia 4H-SiC de área grande de 10 kV con comportamiento de subumbral estable independiente de la temperatura
ago, 2008Un DMOSFET de potencia 4H-SiC de área grande de 10 kV con comportamiento de subumbral estable independiente de la temperatura
650 V con capacidad de alta corriente, 1200Diodos V y 1700V SiC Schottky MPS ™ en paquete de mini módulo SOT-227
DULLES, Virginia, Mayo 11, 2019 — GeneSiC se convierte en líder del mercado en capacidad de alta corriente (100 un y 200 UN) Diodos Schottky SiC en el minimódulo SOT-227 GeneSiC ha introducido GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC lanza el MPS Schottky SiC 1700V de mejor rendimiento de la industria™ diodos
DULLES, Virginia, enero 7, 2019 — GeneSiC lanza una cartera completa de diodos SiC Schottky MPS ™ de tercera generación de 1700V en paquete TO-247-2 GeneSiC ha presentado GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 y…
GeneSiC entrevistado en PCIM 2016 en Nuremberg, Alemania
Power System Design Interviews GeneSiC Nuremberg, Alemania mayo 12, 2016 — El presidente de GeneSiC Semiconductor fue entrevistado por Alix Paultre de Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) en la feria PCIM de Nuremberg,…
Transistores-diodos de unión de carburo de silicio que se ofrecen en una 4 Mini módulo con plomo
Combinación de transistor-diodo de SiC co-empaquetada en una robusta, aislado, 4-Con plomo, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters DULLES, Virginia, Mayo 13, 2015…
