Publicado en 2019-06-102020-05-11 por Editor0Un DMOSFET de potencia 4H-SiC de área grande de 10 kV con comportamiento de subumbral estable independiente de la temperatura ago, 2008Un DMOSFET de potencia 4H-SiC de área grande de 10 kV con comportamiento de subumbral estable independiente de la temperatura