GeneSiC gana $ 2.53M de ARPA-E para el desarrollo de dispositivos basados en tiristores de carburo de silicio
DULLES, Virginia, Septiembre 28, 2010 - Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada - Energía (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
El impulso de energía renovable genera un semiconductor GeneSiC de 1,5 millones de dólares del Departamento de Energía de EE. UU.
DULLES, Virginia, noviembre 12, 2008 – El Departamento de Energía de EE. UU. Ha otorgado a GeneSiC Semiconductor dos subvenciones separadas por un total de $ 1.5M para el desarrollo de carburo de silicio de alto voltaje. (Sic) devices that…
Impacto comercial del carburo de silicio
septiembre, 2008Impacto comercial del carburo de silicio
GeneSiC Semiconductor recibió múltiples subvenciones SBIR y STTR del Departamento de Energía de EE. UU.
DULLES, Virginia, Octubre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovador en rápido crecimiento de alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos, announced that is has been awarded three separate…