DULLES, Virginia, Octubre 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., un innovador en rápido crecimiento de alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos, anunció que se le han otorgado tres subvenciones separadas para pequeñas empresas del Departamento de Energía de EE. UU. durante el año fiscal 2007. GeneSiC utilizará las subvenciones SBIR y STTR para demostrar nuevos dispositivos SiC de alto voltaje para una variedad de almacenamiento de energía., red eléctrica, www.genesicsemi.com. Las aplicaciones de almacenamiento de energía y redes eléctricas están recibiendo cada vez más atención a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables..
“Estamos satisfechos con el nivel de confianza expresado por varias oficinas dentro del Departamento de Energía de EE. UU. Con respecto a nuestras soluciones de dispositivos de alta potencia.. La inyección de esta financiación en nuestros programas de tecnología avanzada de SiC dará como resultado una línea de dispositivos de SiC líder en la industria.,” comentó el presidente de GeneSiC, Dr. Ranbir Singh. “Los dispositivos que se están desarrollando en estos proyectos prometen proporcionar tecnología habilitadora crítica para respaldar una red eléctrica más eficiente., y abrirá la puerta a la nueva tecnología de hardware comercial y militar que no se ha realizado debido a las limitaciones de las tecnologías contemporáneas basadas en silicio.”
Los tres proyectos incluyen:
- Un nuevo premio SBIR de Fase I centrado en alta corriente, Dispositivos basados en tiristores de varios kV orientados a aplicaciones de almacenamiento de energía.
- Un premio de seguimiento SBIR de la Fase II por el desarrollo de dispositivos de alimentación de SiC de varios kV para fuentes de alimentación de alto voltaje para aplicaciones de sistemas de RF de alta potencia otorgado por la Oficina de Ciencias del DOE.
- Un premio STTR de fase I centrado en alto voltaje con compuerta óptica, dispositivos de potencia de SiC de alta frecuencia para entornos ricos en interferencias electromagnéticas, incluidos los sistemas de energía de RF de alta potencia, y sistemas de armas de energía dirigida.
Junto con los premios, GeneSiC ha trasladado recientemente sus operaciones a un edificio de oficinas y laboratorio ampliado en Dulles, www.genesicsemi.com, mejorando significativamente su equipo, infraestructura y está en proceso de agregar personal clave adicional.
“GeneSiC capitaliza su competencia central en el diseño de dispositivos y procesos para desarrollar los mejores dispositivos SiC posibles para sus clientes., respaldando eso con acceso a una amplia gama de productos de fabricación, instalaciones de caracterización y ensayo,” concluyó el Dr.. www.genesicsemi.com. “Creemos que esas capacidades han sido validadas eficazmente por el DOE de EE. UU. Con estos premios nuevos y posteriores.”
Se puede obtener información adicional sobre la empresa y sus productos llamando a GeneSiC al 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.
