DULLES, Virginia, noviembre 12, 2008 – El Departamento de Energía de EE. UU. Ha otorgado a GeneSiC Semiconductor dos subvenciones separadas por un total de $ 1.5M para el desarrollo de carburo de silicio de alto voltaje. (Sic) dispositivos que servirán como habilitadores clave para el viento- e integración de la energía solar con la red eléctrica del país.
“Estos premios demuestran la confianza del DOE en las capacidades de GeneSiC, así como su apuesta por las soluciones energéticas alternativas,”Señala el Dr.. Ranbir Singh, presidente de GeneSiC. "Un integrado, La red eléctrica eficiente es fundamental para el futuro energético de la nación, y los dispositivos de SiC que estamos desarrollando son fundamentales para superar las ineficiencias de las tecnologías de silicio convencionales ".
El primer premio es una subvención SBIR de la Fase II de $ 750k para el desarrollo de, dispositivos bipolares SiC de ultra alto voltaje. El segundo es una subvención STTR de fase II de $ 750k para el desarrollo de interruptores SiC de alta potencia con compuerta óptica.
El carburo de silicio es un material semiconductor de próxima generación con la capacidad de manejar 10 veces el voltaje y 100 veces la corriente del silicio., lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia como la energía renovable (eólica y solar) instalaciones y sistemas de control de la red eléctrica.
Específicamente, los dos premios son para:
- Desarrollo de alta frecuencia, apagado de puerta de SiC de varios kilovoltios (GTO) dispositivos de potencia. Las aplicaciones gubernamentales y comerciales incluyen sistemas de acondicionamiento y gestión de energía para barcos., la industria de servicios públicos, e imágenes médicas.
- Diseño y fabricación de alto voltaje con compuerta óptica, dispositivos de conmutación de SiC de alta potencia. El uso de fibra óptica para cambiar la alimentación es una solución ideal para entornos plagados de interferencias electromagnéticas. (EMI), y aplicaciones que requieren voltajes ultra altos.
Los dispositivos de SiC que GeneSiC está desarrollando sirven para una variedad de almacenamiento de energía, red eléctrica, y aplicaciones militares, que están recibiendo una atención cada vez mayor a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables.
Con sede fuera de Washington, DC en Dulles, www.genesicsemi.com, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, www.genesicsemi.com (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, transistores de efecto de campo (HECHO) y dispositivos bipolares, así como partícula & detectores fotónicos. GeneSiC tiene contratos principales / subcontratos de las principales agencias del gobierno de EE. UU., incluido el Departamento de Energía, Armada, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. Actualmente, la empresa está experimentando un crecimiento sustancial., y contratación de personal calificado en diseño de detectores y dispositivos de potencia, fabricación, y probando. Para descubrir mas, por favor visita www.genesicsemi.com.
