Combinación de transistor-diodo de SiC co-empaquetada en una robusta, aislado, 4-Con plomo, El empaquetado del mini-módulo reduce las pérdidas de energía de encendido y permite diseños de circuitos flexibles para convertidores de potencia de alta frecuencia
DULLES, Virginia, Mayo 13, 2015 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de 20 Diodos-transistor de unión mOhm-1200 V SiC en un, 4-Embalaje de mini módulo con plomo que permite pérdidas de energía de encendido extremadamente bajas al tiempo que ofrece flexibilidad, diseños modulares en convertidores de potencia de alta frecuencia. El uso de alta frecuencia, Los transistores y rectificadores de SiC de alto voltaje y baja resistencia reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones electrónicas que requieren un mayor manejo de potencia a altas frecuencias de operación. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluidos los calentadores de inducción., generadores de plasma, cargadores rapidos, Convertidores DC-DC, y fuentes de alimentación conmutadas.
1200 Rectificador de transistor de unión de carburo de silicio V / 20 mOhm, empaquetado en un paquete aislado SOT-227 que proporciona capacidad de fuente de compuerta y sumidero independientes
Transistores de unión de SiC empaquetados (SJT)-Los rectificadores de SiC ofrecidos por GeneSiC son aplicables exclusivamente a aplicaciones de conmutación inductiva porque los SJT son los únicos conmutadores de banda ancha que ofrece. >10 capacidad de cortocircuito repetitivo microsec, Incluso a 80% de las tensiones nominales (p.ej. 960 V por un 1200 Dispositivo V). Además de los tiempos de subida / bajada de menos de 10 nseg y un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), el terminal Gate Return en la nueva configuración mejora significativamente la capacidad de reducir las energías de conmutación. Esta nueva clase de productos ofrece pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación que son independientes de la temperatura de la unión.. Los transistores de unión SiC de GeneSiC no contienen óxido de puerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de funcionar con voltajes de puerta bajos, a diferencia de otros interruptores de SiC.
Los rectificadores SiC Schottky utilizados en estos minimódulos muestran bajas caídas de voltaje en estado activo, buenas clasificaciones de sobrecorriente y las corrientes de fuga más bajas de la industria a temperaturas elevadas. Con temperatura independiente, características de conmutación de recuperación inversa casi cero, Los rectificadores SiC Schottky son candidatos ideales para su uso en circuitos de alta eficiencia.
“Los productos de transistores y rectificadores de SiC de GeneSiC están diseñados y fabricados para lograr bajas pérdidas de conmutación y de encendido.. Una combinación de estas tecnologías en un paquete innovador promete un rendimiento ejemplar en circuitos de potencia que exigen dispositivos basados en banda ancha amplia.. El paquete del mini módulo ofrece una gran flexibilidad de diseño para su uso en una variedad de circuitos de alimentación como H-Bridge, Inversores flyback y multinivel” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
El producto lanzado hoy incluye
20 Paquete combinado de transistor / rectificador de unión SiC de mOhmios / 1200 V (GA50SICP12-227):
• Paquete aislado SOT-227 / mini-block / Isotop
• Ganancia de corriente del transistor (HFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado por el embalaje)
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <10 nanosegundos típico.
Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal. Los dispositivos están disponibles de inmediato en GeneSiC Distribuidores autorizados.
Para más información, por favor visita: https://192.168.88.14/comercial-sic / sic-módulos-copack /
Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como módulos de diodos de silicio. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, perforación petrolífera de fondo de pozo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.
