DULLES, werden, Oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., ein schnell wachsender Innovator für Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, gab bekannt, dass das US-Energieministerium im Geschäftsjahr 2007 drei separate Zuschüsse für Kleinunternehmen erhalten hat. Die SBIR- und STTR-Zuschüsse werden von GeneSiC verwendet, um neuartige Hochspannungs-SiC-Bauelemente für eine Vielzahl von Energiespeichern zu demonstrieren, Stromnetz, Hochtemperatur- und Hochenergiephysikanwendungen. Energiespeicher- und Stromnetzanwendungen erhalten zunehmend Aufmerksamkeit, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.
“Wir freuen uns über das Vertrauen, das verschiedene Büros des US-Energieministeriums in unsere Hochleistungsgerätelösungen ausdrücken. Wenn Sie diese Mittel in unsere fortschrittlichen SiC-Technologieprogramme investieren, erhalten Sie eine branchenführende Linie von SiC-Geräten,” kommentierte der Präsident von GeneSiC, DR. Ranbir Singh. “Die in diesen Projekten entwickelten Geräte versprechen eine wichtige Technologie zur Unterstützung eines effizienteren Stromnetzes, und wird die Tür zu neuer kommerzieller und militärischer Hardwaretechnologie öffnen, die aufgrund der Einschränkungen moderner Technologien auf Siliziumbasis nicht realisiert wurde.”
Die drei Projekte umfassen:
- Ein neuer Phase-I-SBIR-Preis für Hochstrom, Multi-kV-Thyristor-basierte Geräte für Energiespeicheranwendungen.
- Ein SBIR-Folgepreis der Phase II für die Entwicklung von Multi-kV-SiC-Leistungsgeräten für Hochspannungsnetzteile für Hochleistungs-HF-Systemanwendungen, verliehen vom DOE Office of Science.
- Ein STTR-Preis der Phase I konzentrierte sich auf optisch gesteuerte Hochspannung, Hochfrequenz-SiC-Leistungsgeräte für Umgebungen, die reich an elektromagnetischen Interferenzen sind, einschließlich Hochleistungs-HF-Energiesysteme, und gerichtete Energiewaffensysteme.
Zusammen mit den Auszeichnungen, GeneSiC hat kürzlich den Betrieb in ein erweitertes Labor- und Bürogebäude in Dulles verlegt, Virginia, Deutliche Verbesserung seiner Ausrüstung, Infrastruktur und ist dabei, zusätzliches Schlüsselpersonal hinzuzufügen.
“GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln, Dies wird durch den Zugriff auf eine umfangreiche Fertigungssuite unterstützt, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen,” schloss Dr.. Singh. “Wir sind der Ansicht, dass diese Fähigkeiten vom US DOE mit diesen neuen und nachfolgenden Auszeichnungen effektiv validiert wurden.”
Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuch www.genesicsemi.com.
