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Schubnetze für erneuerbare Energien GeneSiC Semiconductor 1,5 Mio. USD vom US-Energieministerium

DULLES, werden, November 12, 2008 – Das US-Energieministerium hat GeneSiC Semiconductor zwei separate Zuschüsse in Höhe von insgesamt 1,5 Mio. USD für die Entwicklung von Hochspannungs-Siliziumkarbid gewährt (SiC) Geräte, die als Schlüssel für den Wind dienen- und Integration der Solarenergie in das Stromnetz des Landes.

„Diese Auszeichnungen zeigen das Vertrauen des DOE in die Fähigkeiten von GeneSiC, sowie sein Engagement für alternative Energielösungen,”Bemerkt Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. "Ein integriertes, Ein effizientes Stromnetz ist für die Energiezukunft des Landes von entscheidender Bedeutung - und die von uns entwickelten SiC-Geräte sind entscheidend für die Überwindung der Ineffizienzen herkömmlicher Siliziumtechnologien. “

Die erste Auszeichnung ist ein Phase-II-SBIR-Zuschuss in Höhe von 750.000 USD für die Entwicklung von Fast, Ultrahochspannungs-SiC-Bipolar-Bauelemente. Das zweite ist ein Phase-II-STTR-Zuschuss in Höhe von 750.000 USD für die Entwicklung von optisch gesteuerten Hochleistungs-SiC-Schaltern.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit der Fähigkeit, das 10-fache der Spannung und das 100-fache des Stroms von Silizium zu verarbeiten, Damit eignet es sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie erneuerbare Energien (Wind und Sonne) Installationen und Stromnetzsteuerungssysteme.

Speziell, Die beiden Auszeichnungen sind für:

  • Entwicklung von Hochfrequenzen, Multi-Kilovolt-SiC-Gate-Abschaltung (GTO) Stromversorgungsgeräte. Regierungs- und kommerzielle Anwendungen umfassen Energieverwaltungs- und Konditionierungssysteme für Schiffe, die Versorgungsindustrie, und medizinische Bildgebung.
  • Design und Herstellung von optisch gesteuerten Hochspannungen, Hochleistungs-SiC-Schaltgeräte. Die Verwendung von Glasfasern zum Schalten der Stromversorgung ist eine ideale Lösung für Umgebungen, die von elektromagnetischen Interferenzen betroffen sind (EMI), und Anwendungen, die ultrahohe Spannungen erfordern.

Die von GeneSiC entwickelten SiC-Geräte dienen einer Vielzahl von Energiespeichern, Stromnetz, und militärische Anwendungen, die zunehmend Beachtung finden, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

Sitz außerhalb von Washington, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, Feldeffekttransistoren (FETs) und bipolare Geräte, sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuche www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor erhielt mehrere Zuschüsse des US-Energieministeriums für SBIR und STTR

DULLES, werden, Oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., ein schnell wachsender Innovator für Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, gab bekannt, dass das US-Energieministerium im Geschäftsjahr 2007 drei separate Zuschüsse für Kleinunternehmen erhalten hat. Die SBIR- und STTR-Zuschüsse werden von GeneSiC verwendet, um neuartige Hochspannungs-SiC-Bauelemente für eine Vielzahl von Energiespeichern zu demonstrieren, Stromnetz, Hochtemperatur- und Hochenergiephysikanwendungen. Energiespeicher- und Stromnetzanwendungen erhalten zunehmend Aufmerksamkeit, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

“Wir freuen uns über das Vertrauen, das verschiedene Büros des US-Energieministeriums in unsere Hochleistungsgerätelösungen ausdrücken. Wenn Sie diese Mittel in unsere fortschrittlichen SiC-Technologieprogramme investieren, erhalten Sie eine branchenführende Linie von SiC-Geräten,” kommentierte der Präsident von GeneSiC, DR. Ranbir Singh. “Die in diesen Projekten entwickelten Geräte versprechen eine wichtige Technologie zur Unterstützung eines effizienteren Stromnetzes, und wird die Tür zu neuer kommerzieller und militärischer Hardwaretechnologie öffnen, die aufgrund der Einschränkungen moderner Technologien auf Siliziumbasis nicht realisiert wurde.”

Die drei Projekte umfassen:

  • Ein neuer Phase-I-SBIR-Preis für Hochstrom, Multi-kV-Thyristor-basierte Geräte für Energiespeicheranwendungen.
  • Ein SBIR-Folgepreis der Phase II für die Entwicklung von Multi-kV-SiC-Leistungsgeräten für Hochspannungsnetzteile für Hochleistungs-HF-Systemanwendungen, verliehen vom DOE Office of Science.
  • Ein STTR-Preis der Phase I konzentrierte sich auf optisch gesteuerte Hochspannung, Hochfrequenz-SiC-Leistungsgeräte für Umgebungen, die reich an elektromagnetischen Interferenzen sind, einschließlich Hochleistungs-HF-Energiesysteme, und gerichtete Energiewaffensysteme.

Zusammen mit den Auszeichnungen, GeneSiC hat kürzlich den Betrieb in ein erweitertes Labor- und Bürogebäude in Dulles verlegt, Virginia, Deutliche Verbesserung seiner Ausrüstung, Infrastruktur und ist dabei, zusätzliches Schlüsselpersonal hinzuzufügen.

“GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln, Dies wird durch den Zugriff auf eine umfangreiche Fertigungssuite unterstützt, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen,” schloss Dr.. Singh. “Wir sind der Ansicht, dass diese Fähigkeiten vom US DOE mit diesen neuen und nachfolgenden Auszeichnungen effektiv validiert wurden.”

Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuch www.genesicsemi.com.