Veröffentlicht am

GeneSiC veröffentlicht das branchenweit leistungsstärkste 1700-V-SiC-Schottky-MPS™ Dioden

DULLES, werden, Januar 7, 2019 — GeneSiC veröffentlicht ein umfassendes Portfolio seiner 1700 V SiC Schottky MPS ™ -Dioden der dritten Generation im TO-247-2-Gehäuse

GeneSiC hat GB05MPS17-247 eingeführt, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 und GB50MPS17-247; Die branchenweit leistungsstärksten 1700-V-SiC-Dioden, die im beliebten TO-247-2-Durchgangsbohrungspaket erhältlich sind. Diese 1700-V-SiC-Dioden ersetzen ultraschnelle Wiederherstellungsdioden auf Siliziumbasis und andere 1700-V-SiC-JBS der alten Generation, So können Ingenieure Schaltkreise mit höherer Effizienz und höherer Leistungsdichte bauen. Zu den Anwendungen gehören Schnellladegeräte für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe, Transportstromversorgungen und erneuerbare Energien.

GB50MPS17-247 ist eine 1700 V 50 A SiC-Merged-PiN-Schottky-Diode, die branchenweit höchste diskrete SiC-Leistungsdiode mit Nennstrom. Diese neu freigegebenen Dioden weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf, Null Vorwärtswiederherstellung, Null-Rückwärtswiederherstellung, niedrige Sperrschichtkapazität und für eine maximale Betriebstemperatur von 175 ° C ausgelegt. Die SiC-Schottky-Diodentechnologie der dritten Generation von GeneSiC bietet branchenführende Lawinen-Robustheit und Stoßstrom (Ifsm) Robustheit, kombiniert mit hochwertiger, für die Automobilindustrie qualifizierter 6-Zoll-Gießerei und fortschrittlicher diskreter Montagetechnologie mit hoher Zuverlässigkeit.

Diese SiC-Dioden sind pin-kompatibler direkter Ersatz für andere Dioden, die im TO-247-2-Gehäuse enthalten sind. Profitieren Sie von ihren geringeren Leistungsverlusten (Kühlerbetrieb) und Hochfrequenzschaltfähigkeit, Designer können jetzt eine höhere Umwandlungseffizienz und eine höhere Leistungsdichte bei Entwürfen erzielen.

Über GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration. GeneSiC Semiconductor Inc.. entwickelt Siliziumkarbid (SiC) Halbleiterbauelemente für hohe Temperaturen, Strahlung, und Stromnetzanwendungen. Dies beinhaltet die Entwicklung von Gleichrichtern, FETs, bipolare Geräte sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Zugriff auf eine umfangreiche Suite von Halbleiterdesigns, Herstellung, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen für solche Geräte. GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln. Das Unternehmen zeichnet sich durch hochwertige Produkte aus, die speziell auf die Anforderungen jedes Kunden zugeschnitten sind. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich ARPA-E, US-Energieabteilung, Marine, DARPA, Abteilung für innere Sicherheit, Handelsabteilung und andere Abteilungen innerhalb der US-Abteilung. der Verteidigung. GeneSiC verbessert weiterhin schnell die Ausrüstung und die Personalinfrastruktur in seinen Dulles, Anlage in Virginia. Das Unternehmen stellt aggressiv Personal ein, das Erfahrung in der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen hat, Halbleitertests und Detektordesigns. Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuchwww.genesicsemi.com.

Veröffentlicht am

Multi-kHz, Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid-Thyristoren, die von US-Forschern getestet wurden

DULLES, werden, November 1, 2010 –In einem ersten seiner Art Angebot, GeneSiC Semiconductor gibt die Verfügbarkeit einer Familie von 6,5-kV-SCR-Siliziumkarbid-Thyristoren für den Einsatz in der Leistungselektronik für Smart-Grid-Anwendungen bekannt. Von den revolutionären Leistungsvorteilen dieser Leistungsgeräte wird erwartet, dass sie wichtige Innovationen bei der Leistungselektronik-Hardware im Versorgungsmaßstab vorantreiben, um die Zugänglichkeit und Nutzung verteilter Energieressourcen zu verbessern (DER). "Bis jetzt, Multi-kV-Siliziumkarbid (SiC) Stromversorgungsgeräte standen US-Forschern nicht offen zur Verfügung, um die bekannten Vorteile von SiC-basierten Stromversorgungsgeräten - nämlich 2-10 kHz Betriebsfrequenzen bei 5-15 kV Nennleistung - voll auszuschöpfen. “ kommentierte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. „GeneSiC hat kürzlich die Lieferung vieler 6,5 kV / 40 A abgeschlossen, 6.5kV / 60A- und 6,5-kV / 80A-Thyristoren an mehrere Kunden, die Forschung im Bereich erneuerbare Energien betreiben, Anwendungen für Armee- und Marine-Energiesysteme. SiC-Geräte mit diesen Bewertungen werden jetzt in größerem Umfang angeboten. “

Thyristoren auf Siliziumkarbidbasis bieten eine 10-fach höhere Spannung, 100X schnellere Schaltfrequenzen und Betrieb bei höheren Temperaturen im Vergleich zu herkömmlichen Thyristoren auf Siliziumbasis. Zu den Forschungsmöglichkeiten für gezielte Anwendungen für diese Geräte gehört die allgemeine Mittelspannungs-Leistungsumwandlung (MVDC), Netzgebundene Solarwechselrichter, Windkraftwechselrichter, gepulste Leistung, Waffensysteme, Zündsteuerung, und Triggersteuerung. Es ist mittlerweile gut etabliert, dass Ultrahochspannung (>10kV) Siliziumkarbid (SiC) Die Gerätetechnologie wird im Versorgungsnetz der nächsten Generation eine revolutionäre Rolle spielen. SiC-Bauelemente auf Thyristorbasis bieten die höchste Einschaltleistung für >5 kV-Geräte, und sind weit verbreitet für Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsschaltungen wie Fehlerstrombegrenzer, AC-DC-Wandler, Statische VAR-Kompensatoren und Serienkompensatoren. Thyristoren auf SiC-Basis bieten aufgrund ihrer Ähnlichkeit mit herkömmlichen Stromnetzelementen auch die besten Chancen für eine frühzeitige Einführung. Der Einsatz dieser fortschrittlichen Leistungshalbleitertechnologien könnte bis zu a 25-30 prozentuale Reduzierung des Stromverbrauchs durch höhere Effizienz bei der Lieferung von Strom.

DR. Singh fährt fort: „Es wird erwartet, dass sich große Märkte für Festkörper-Umspannwerke und Windturbinengeneratoren öffnen werden, nachdem Forscher auf dem Gebiet der Stromumwandlung die Vorteile von SiC-Thyristoren voll ausschöpfen werden. Diese SiC-Thyristoren der ersten Generation verwenden den niedrigsten nachgewiesenen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und die niedrigsten Einschaltwiderstände, die jemals bei SiC-Thyristoren erzielt wurden. Wir beabsichtigen, zukünftige Generationen von SiC-Thyristoren herauszubringen, die für die Gate-gesteuerte Ausschaltfähigkeit und optimiert sind >10kV-Nennwerte. Während wir weiterhin Hochtemperatur-Ultrahochspannungs-Verpackungslösungen entwickeln, Die vorliegenden 6,5-kV-Thyristoren sind in Modulen mit vollständig gelöteten Kontakten verpackt, begrenzt auf Sperrschichttemperaturen von 150 ° C. “ GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration.

In der Nähe von Washington gelegen, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, SuperJunction-Transistoren (SJT) und eine Vielzahl von Thyristor-basierten Geräten. GeneSiC hat oder hatte Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, Heer, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuche www.genesicsemi.com.

Veröffentlicht am

GeneSiC gewinnt 2,53 Millionen Dollar von ARPA-E für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Thyristor-basierten Geräten

DULLES, werden, September 28, 2010 - Agentur für fortgeschrittene Forschungsprojekte - Energie (ARPA-E) hat mit dem von GeneSiC Semiconductor geleiteten Team eine Kooperationsvereinbarung über die Entwicklung des neuartigen Ultrahochspannungs-Siliziumkarbids geschlossen (SiC) Geräte auf Thyristorbasis. Diese Geräte werden voraussichtlich die wichtigsten Voraussetzungen für die Integration großer Wind- und Solarkraftwerke in das Smart Grid der nächsten Generation sein.

„Mit dieser wettbewerbsintensiven Auszeichnung für GeneSiC können wir unsere technische Führungsposition in der Multi-kV-Siliziumkarbid-Technologie ausbauen, sowie unser Engagement für alternative Energielösungen im Netzmaßstab mit Festkörperlösungen,Kommentierte Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. „Von uns entwickelte Multi-kV-SiC-Thyristoren sind die Schlüsseltechnologie für die Realisierung flexibler Wechselstromübertragungssysteme (FAKTEN) Elemente und Hochspannung DC (HGÜ) Architekturen für eine integrierte vorgesehen, effizient, Smart Grid der Zukunft. Die SiC-basierten Thyristoren von GeneSiC bieten eine 10-mal höhere Spannung, 100X schnellere Schaltfrequenzen und Betrieb bei höheren Temperaturen in FACTS- und HGÜ-Leistungsverarbeitungslösungen im Vergleich zu herkömmlichen Thyristoren auf Siliziumbasis. “

Im April 2010, GeneSiC reagierte auf die agile Lieferung elektrischer Energietechnologie (GESCHICKT) Aufforderung von ARPA-E, in Materialien für grundlegende Fortschritte bei Hochspannungsschaltern zu investieren, die das Potenzial haben, die Leistung bestehender Stromrichter zu übertreffen und gleichzeitig Kosten zu senken. Der Vorschlag des Unternehmens mit dem Titel "Siliziumkarbidanodengeschalteter Thyristor für die Umwandlung von Mittelspannungsleistung" wurde ausgewählt, um ein geringes Gewicht zu erzielen, fester Zustand, Mittelspannungs-Energieumwandlung für Hochleistungsanwendungen wie Festkörper-Umspannwerke und Windkraftanlagen. Der Einsatz dieser fortschrittlichen Leistungshalbleitertechnologien könnte bis zu a 25-30 prozentuale Reduzierung des Stromverbrauchs durch höhere Effizienz bei der Lieferung von Strom. Die ausgewählten Innovationen sollten die USA unterstützen und fördern. Unternehmen durch Technologieführerschaft, durch einen hart umkämpften Prozess.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit weit überlegenen Eigenschaften gegenüber herkömmlichem Silizium, B. die Fähigkeit, die zehnfache Spannung - und die hundertfache Stromstärke - bei Temperaturen von bis zu 300 ° C zu verarbeiten. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energie (Wind und Sonne) Installationen, und Stromnetzsteuerungssysteme.

Es ist mittlerweile gut etabliert, dass Ultrahochspannung (>10kV) Siliziumkarbid (SiC) Die Gerätetechnologie wird im Versorgungsnetz der nächsten Generation eine revolutionäre Rolle spielen. SiC-Bauelemente auf Thyristorbasis bieten die höchste Einschaltleistung für >5 kV-Geräte, und sind weit verbreitet für Mittelspannungs-Leistungsumwandlungsschaltungen wie Fehlerstrombegrenzer, AC-DC-Wandler, Statische VAR-Kompensatoren und Serienkompensatoren. Thyristoren auf SiC-Basis bieten aufgrund ihrer Ähnlichkeit mit herkömmlichen Stromnetzelementen auch die besten Chancen für eine frühzeitige Einführung. Weitere vielversprechende Anwendungen und Vorteile für diese Geräte sind:

  • Energieverwaltungs- und Energiekonditionierungssysteme für die Mittelspannungs-Gleichstromumwandlung, die unter Future Naval Capability gesucht werden (FNC) der US Navy, Elektromagnetische Abschusssysteme, Hochenergie-Waffensysteme und medizinische Bildgebung. Die 10-100-fach höhere Betriebsfrequenz ermöglicht beispiellose Größenverbesserungen, Gewicht, Volumen und letztendlich, Kosten solcher Systeme.
  • Eine Vielzahl von Energiespeichern, Hochtemperatur- und Hochenergiephysikanwendungen. Energiespeicher- und Stromnetzanwendungen erhalten zunehmend Aufmerksamkeit, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

GeneSiC ist ein schnell aufstrebender Innovator auf dem Gebiet der SiC-Leistungsgeräte und engagiert sich stark für die Entwicklung von Siliziumkarbid (SiC) basierte Geräte für: (ein) HV-HF-SiC-Geräte für das Stromnetz, Gepulste Kraft und gerichtete Energiewaffen; und (b) Hochtemperatur-SiC-Leistungsgeräte für Flugzeugaktuatoren und Ölexploration.

“Wir haben uns als führend in der Ultrahochspannungs-SiC-Technologie herausgestellt, indem wir unsere Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign mit einer umfangreichen Fertigungssuite genutzt haben, Charakterisierung, und Testeinrichtungen,Schließt Dr.. Singh. "Die Position von GeneSiC wurde jetzt vom US DOE mit dieser bedeutenden Folgeauszeichnung effektiv bestätigt."

Über GeneSiC Semiconductor

Strategisch in der Nähe von Washington gelegen, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, SuperJunction-Transistoren (SJT) und eine Vielzahl von Thyristor-basierten Geräten. GeneSiC hat oder hatte Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, Heer, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuchewww.genesicsemi.com.

Veröffentlicht am

Schubnetze für erneuerbare Energien GeneSiC Semiconductor 1,5 Mio. USD vom US-Energieministerium

DULLES, werden, November 12, 2008 – Das US-Energieministerium hat GeneSiC Semiconductor zwei separate Zuschüsse in Höhe von insgesamt 1,5 Mio. USD für die Entwicklung von Hochspannungs-Siliziumkarbid gewährt (SiC) Geräte, die als Schlüssel für den Wind dienen- und Integration der Solarenergie in das Stromnetz des Landes.

„Diese Auszeichnungen zeigen das Vertrauen des DOE in die Fähigkeiten von GeneSiC, sowie sein Engagement für alternative Energielösungen,”Bemerkt Dr.. Ranbir Singh, Präsident von GeneSiC. "Ein integriertes, Ein effizientes Stromnetz ist für die Energiezukunft des Landes von entscheidender Bedeutung - und die von uns entwickelten SiC-Geräte sind entscheidend für die Überwindung der Ineffizienzen herkömmlicher Siliziumtechnologien. “

Die erste Auszeichnung ist ein Phase-II-SBIR-Zuschuss in Höhe von 750.000 USD für die Entwicklung von Fast, Ultrahochspannungs-SiC-Bipolar-Bauelemente. Das zweite ist ein Phase-II-STTR-Zuschuss in Höhe von 750.000 USD für die Entwicklung von optisch gesteuerten Hochleistungs-SiC-Schaltern.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit der Fähigkeit, das 10-fache der Spannung und das 100-fache des Stroms von Silizium zu verarbeiten, Damit eignet es sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie erneuerbare Energien (Wind und Sonne) Installationen und Stromnetzsteuerungssysteme.

Speziell, Die beiden Auszeichnungen sind für:

  • Entwicklung von Hochfrequenzen, Multi-Kilovolt-SiC-Gate-Abschaltung (GTO) Stromversorgungsgeräte. Regierungs- und kommerzielle Anwendungen umfassen Energieverwaltungs- und Konditionierungssysteme für Schiffe, die Versorgungsindustrie, und medizinische Bildgebung.
  • Design und Herstellung von optisch gesteuerten Hochspannungen, Hochleistungs-SiC-Schaltgeräte. Die Verwendung von Glasfasern zum Schalten der Stromversorgung ist eine ideale Lösung für Umgebungen, die von elektromagnetischen Interferenzen betroffen sind (EMI), und Anwendungen, die ultrahohe Spannungen erfordern.

Die von GeneSiC entwickelten SiC-Geräte dienen einer Vielzahl von Energiespeichern, Stromnetz, und militärische Anwendungen, die zunehmend Beachtung finden, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

Sitz außerhalb von Washington, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. ist ein führender Innovator im Bereich Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte. Aktuelle Entwicklungsprojekte umfassen Hochtemperatur-Gleichrichter, Feldeffekttransistoren (FETs) und bipolare Geräte, sowie Partikel & photonische Detektoren. GeneSiC hat Haupt- / Unterverträge von großen US-Regierungsbehörden, einschließlich des Energieministeriums, Marine, DARPA, und das Department of Homeland Security. Das Unternehmen erlebt derzeit ein erhebliches Wachstum, und Einstellung von qualifiziertem Personal für das Design von Leistungsgeräten und Detektoren, Herstellung, und testen. Um mehr herauszufinden, bitte besuche www.genesicsemi.com.

Veröffentlicht am

GeneSiC Semiconductor erhielt mehrere Zuschüsse des US-Energieministeriums für SBIR und STTR

DULLES, werden, Oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., ein schnell wachsender Innovator für Hochtemperatur, Hochleistungs- und Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid (SiC) Geräte, gab bekannt, dass das US-Energieministerium im Geschäftsjahr 2007 drei separate Zuschüsse für Kleinunternehmen erhalten hat. Die SBIR- und STTR-Zuschüsse werden von GeneSiC verwendet, um neuartige Hochspannungs-SiC-Bauelemente für eine Vielzahl von Energiespeichern zu demonstrieren, Stromnetz, Hochtemperatur- und Hochenergiephysikanwendungen. Energiespeicher- und Stromnetzanwendungen erhalten zunehmend Aufmerksamkeit, da sich die Welt auf effizientere und kostengünstigere Energiemanagementlösungen konzentriert.

“Wir freuen uns über das Vertrauen, das verschiedene Büros des US-Energieministeriums in unsere Hochleistungsgerätelösungen ausdrücken. Wenn Sie diese Mittel in unsere fortschrittlichen SiC-Technologieprogramme investieren, erhalten Sie eine branchenführende Linie von SiC-Geräten,” kommentierte der Präsident von GeneSiC, DR. Ranbir Singh. “Die in diesen Projekten entwickelten Geräte versprechen eine wichtige Technologie zur Unterstützung eines effizienteren Stromnetzes, und wird die Tür zu neuer kommerzieller und militärischer Hardwaretechnologie öffnen, die aufgrund der Einschränkungen moderner Technologien auf Siliziumbasis nicht realisiert wurde.”

Die drei Projekte umfassen:

  • Ein neuer Phase-I-SBIR-Preis für Hochstrom, Multi-kV-Thyristor-basierte Geräte für Energiespeicheranwendungen.
  • Ein SBIR-Folgepreis der Phase II für die Entwicklung von Multi-kV-SiC-Leistungsgeräten für Hochspannungsnetzteile für Hochleistungs-HF-Systemanwendungen, verliehen vom DOE Office of Science.
  • Ein STTR-Preis der Phase I konzentrierte sich auf optisch gesteuerte Hochspannung, Hochfrequenz-SiC-Leistungsgeräte für Umgebungen, die reich an elektromagnetischen Interferenzen sind, einschließlich Hochleistungs-HF-Energiesysteme, und gerichtete Energiewaffensysteme.

Zusammen mit den Auszeichnungen, GeneSiC hat kürzlich den Betrieb in ein erweitertes Labor- und Bürogebäude in Dulles verlegt, Virginia, Deutliche Verbesserung seiner Ausrüstung, Infrastruktur und ist dabei, zusätzliches Schlüsselpersonal hinzuzufügen.

“GeneSiC nutzt seine Kernkompetenz im Geräte- und Prozessdesign, um die bestmöglichen SiC-Geräte für seine Kunden zu entwickeln, Dies wird durch den Zugriff auf eine umfangreiche Fertigungssuite unterstützt, Charakterisierungs- und Testeinrichtungen,” schloss Dr.. Singh. “Wir sind der Ansicht, dass diese Fähigkeiten vom US DOE mit diesen neuen und nachfolgenden Auszeichnungen effektiv validiert wurden.”

Weitere Informationen über das Unternehmen und seine Produkte erhalten Sie bei GeneSiC unter 703-996-8200 oder durch einen Besuch www.genesicsemi.com.