SiC-„Super“-Junction-Transistoren mit ultraschnellem (< 15 ns) Schaltfähigkeit
Charakterisierung der Stabilität der Stromverstärkung und des Avalanche-Mode-Betriebs von 4H-SiC-BJTs
10 kV SiC BJTs - statisch, Schalt- und Zuverlässigkeitseigenschaften
Schnell reifende SiC-Übergangstransistoren mit Stromverstärkung (B) > 130, Sperrspannungen bis 2700 V und stabiler Langzeitbetrieb
Siliziumkarbid-Übergangstransistoren und Schottky-Gleichrichter, optimiert für den Betrieb bei 250°C
Statische und Schalteigenschaften von 1200 V-SiC-Sperrschichttransistoren mit On-Chip-integrierten Schottky-Gleichrichtern
AN-10A zum Ansteuern von SiC-Übergangstransistoren (SJT) mit handelsüblichen Silizium-IGBT-Gate-Treibern: Einstufiges Laufwerkskonzept
Ansteuernde SiC-Sperrschichttransistoren AN-10B (SJT): Zwei-Ebenen-Gate-Drive-Konzept
Doppelpulsschalttafel
Doppelpulsschalttafel
High Power Gate Treiberplatine
High Power Gate Treiberplatine