今日半导体
十月 28, 2014 – GeneSiC发布改进, 较低的导通电阻1700V和1200V SiC结晶体管
电力电子欧洲新闻
九月 5, 2013 – 提到GeneSiC的SJT可提供比其他SiC开关更低的总损耗
驱动SiC开关 – 来自《化合物半导体》杂志 (PG 41)
七月 29, 2013 – SJT提供与IGBT驱动器兼容的操作
《化合物半导体》杂志 (PG 33)
行进, 2012 – 碳化硅电子: 利用高温承诺
博多动力系统 (PG 44)
二月, 2012 – 碳化硅晶闸管迎来智能电网革命
