应用须知:
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技术文章:
新兴的碳化硅功率器件实现了高压功率转换的革命性变化
十月, 2004新兴的碳化硅功率器件实现了高压功率转换的革命性变化
SiC MOS器件的可靠性
十月, 2004SiC MOS器件的可靠性
新型 SiC MOS 双极开关 >10 千伏应用
可能, 2006新型 SiC MOS 双极开关 >10 千伏应用
SiC功率器件的可靠性和性能限制
君, 2006SiC 功率器件的可靠性和性能限制
具有稳定亚阈值行为且不受温度影响的 10kV 大面积 4H-SiC 功率 DMOSFET
八月, 2008具有稳定亚阈值行为且不受温度影响的 10kV 大面积 4H-SiC 功率 DMOSFET