杜勒斯, VA, 十二月 14, 2010 – GeneSiC 半导体公司, 新型碳化硅的关键创新者 (碳化硅) 高温设备, 大功率, 和超高压应用, 宣布选择其项目“集成SiC超结晶体管晶体管器件的项目，该器件适用于在以下温度运行的大功率电机控制模块 500 oC”（美国国家航空航天局） (美国宇航局) 获得第一阶段SBIR奖. 该SBIR项目专注于单片集成SiC JBS二极管-超结晶体管的开发 (防弹少年团) 在类似金星的环境下运行的设备 (500 °C表面温度). 该程序中开发的SiC MIDSJT器件将用于构建电机控制电源模块，以直接与金星探测车集成.
“我们对NASA对我们的高温SiC器件解决方案表示的信心感到满意. 该项目将使GeneSiC通过其创新的设备和封装解决方案来开发行业领先的基于SiC的电源管理技术” 博士说. 悉达多·桑达瑞森, GeneSiC技术总监. “此程序中目标的SiC MIDSJT器件将允许在高达90°C的温度下以数字精度处理千瓦级功率 500 °C. 除了外太空应用, 这项新技术有可能彻底改变关键的航空航天和地热石油钻探硬件，这些硬件要求环境温度超过 200 °C. 当前，这些应用领域受到现代硅甚至是基于SiC的器件技术（例如JFET和MOSFET）的不良高温性能的限制” 他加了.
GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问 www.genesicsemi.com.
关于 GeneSiC 半导体, 公司.
GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防.
