三月 1, 2015 –
用碳化硅器件实现高温操作的承诺
威力
十一月 14, 2014 –
1200-V和1700-V SiC结晶体管的位置可挑战SiC MOSFET和硅IGBT
电子说明符
十一月 25, 2014 – 电子说明符
为业界最低损耗的开关提供设计支持
复合半在线
可能 14, 2015 –
GeneSiC 开始提供 SiC 结晶体管二极管
三月 1, 2015 –
用碳化硅器件实现高温操作的承诺
十一月 14, 2014 –
1200-V和1700-V SiC结晶体管的位置可挑战SiC MOSFET和硅IGBT
十一月 25, 2014 – 电子说明符
为业界最低损耗的开关提供设计支持
可能 14, 2015 –
GeneSiC 开始提供 SiC 结晶体管二极管
四月 22, 2015 –
GaN和SiC功率器件在APEC上的演讲