电力电子技术 (PG 36)
七月, 2011 –
1200 V / 100 A Si IGBT / SiC二极管Copack降低了开关损耗
博多动力系统 (PG 36)
十月, 2011 –
SiC“超级”结晶体管的突破性高温电气性能
电力电子技术 (PG 21)
十一月, 2011 –
SiC“超级”结晶体管提供突破性的高温性能
电力电子技术
二月, 2012 –
碳化硅: 坚固的功率半导体化合物不容小With
博多动力系统 (PG 44)
二月, 2012 –
碳化硅晶闸管迎来智能电网革命
《化合物半导体》杂志 (PG 33)
行进, 2012 –
碳化硅电子: 利用高温承诺
驱动SiC开关 – 来自《化合物半导体》杂志 (PG 41)
七月 29, 2013 –
SJT提供与IGBT驱动器兼容的操作
电力电子欧洲新闻
九月 5, 2013 –
提到GeneSiC的SJT可提供比其他SiC开关更低的总损耗
今日半导体
十月 28, 2014 –
GeneSiC发布改进, 较低的导通电阻1700V和1200V SiC结晶体管