杜勒斯, VA, 十月 23, 2007 — GeneSiC半導體公司, 迅速崛起的高溫創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 宣佈在2007財年獲得了美國能源部的三項單獨的小型企業贈款. GeneSiC將使用SBIR和STTR贈款來演示用於各種能量存儲的新型高壓SiC器件, 電網, 高溫高能物理應用. 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，儲能和電網應用受到越來越多的關注.
“我們很高興美國能源部各辦公室對我們的大功率設備解決方案表示出的信任程度. 將這些資金注入到我們先進的SiC技術計劃中，將形成行業領先的線型SiC器件,” GeneSiC總裁發表評論, 博士. 蘭比爾·辛格. “這些項目中正在開發的設備有望提供關鍵的使能技術，以支持更高效的電網, 由於現代基於矽技術的局限性，這將為尚未實現的新的商業和軍事硬件技術打開大門。”
這三個項目包括:
- 新的I期SBIR獎項重點關注高電流, 面向儲能應用的基於多kV晶閘管的設備.
- 美國能源部科學辦公室授予第二階段SBIR後續獎項，該獎項是針對用於高功率RF系統應用的高壓電源的多kV SiC功率器件的開發.
- 一期STTR獎專注於光控高壓, 用於電磁干擾豐富的環境的高頻SiC功率器件, 包括高功率射頻能量系統, 和定向能量武器系統.
隨著獎項, GeneSiC最近將業務轉移到杜勒斯擴展的實驗室和辦公大樓, 弗吉尼亞州, 大幅升級設備, 基礎架構，並且正在增加其他關鍵人員.
“GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備, 通過訪問廣泛的製作套件來支持這一點, 表徵和測試設施,” 結論博士. 辛格. “我們認為這些功能已被美國能源部有效地通過這些新的和後續的獎項進行了驗證。”
有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問 www.genesicsemi.com.
