杜勒斯, VA, 十一月 12, 2008 – 美國能源部已授予GeneSiC半導體兩項單獨的贈款，總額為150萬美元，用於開發高壓碳化矽 (碳化矽) 將成為風能關鍵推動力的設備- 和太陽能與國家電網的整合.
“這些獎項表明了能源部對GeneSiC能力的信心。, 以及對替代能源解決方案的承諾,”博士說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “綜合, 高效的電網對美國的能源未來至關重要。我們正在開發的SiC器件對於克服傳統矽技術的低效率至關重要。”
第一個獎項是75萬美元的第二階段SBIR贈款，用於快速開發, 超高壓SiC雙極器件. 第二個是75萬美元的II期STTR贈款，用於開發光控大功率SiC開關.
碳化矽是下一代半導體材料，能夠處理矽的10倍電壓和100倍電流, 使其非常適合可再生能源等大功率應用 (風能和太陽能) 設施和電網控制系統.
具體來說, 這兩個獎項是為了:
- 高頻的發展, 千伏SiC柵極截止 (GTO) 電力設備. 政府和商業應用包括船舶的電源管理和調節系統, 公用事業, 和醫學成像.
- 光控高壓的設計與製造, 大功率SiC開關器件. 對於受到電磁干擾困擾的環境，使用光纖開關電源是理想的解決方案 (電磁干擾), 和需要超高壓的應用.
GeneSiC正在開發的SiC器件可用於各種儲能, 電網, 和軍事應用, 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，它們受到越來越多的關注.
駐華盛頓以外, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 場效應晶體管 (場效應管) 和雙極設備, 以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC擁有來自美國主要政府機構的主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.
