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GeneSiC發佈業界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二極管

杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出採用TO-247-2封裝的第三代1700V SiC肖特基MPS™二極管的全面產品組合

GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封裝中提供了業界性能最佳的1700V SiC二極管. 這些1700V SiC二極管替代了矽基超快恢復二極管和其他舊式1700V SiC JBS, 使工程師能夠構建更高效率和更高功率密度的開關電路. 預計應用將包括電動汽車快速充電器, 馬達驅動, 運輸電源和可再生能源.

GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合併式PiN肖特基二極管, 業界額定電流最高的分立SiC功率二極管. 這些新發布的二極管具有低正向壓降, 零前向恢復, 零反向恢復, 低結電容，額定最高工作溫度為175°C. GeneSiC的第三代SiC肖特基二極管技術可提供行業領先的雪崩強度和浪湧電流 (s) 健壯性, 結合高質量的汽車合格6英寸鑄造廠和先進的高可靠性分立裝配技術.

這些SiC二極管是引腳兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封裝中的其他二極管. 受益於較低的功率損耗 (冷卻器運行) 和高頻切換能力, 設計人員現在可以在設計中實現更高的轉換效率和更高的功率密度.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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多kHz, 向美國研究人員採樣的超高壓碳化矽晶閘管

杜勒斯, VA, 十一月 1, 2010 –首次提供, GeneSiC Semiconductor宣布推出一系列6.5kV SCR模式碳化矽晶閘管，用於智能電網應用的電力電子. 這些功率設備的革命性性能優勢有望刺激公用事業規模的功率電子硬件的關鍵創新，以增加分佈式能源的可及性和開發 (的). “到現在, 多kV碳化矽 (碳化矽) 美國研究人員尚未公開使用這些功率器件來充分利用SiC功率器件的眾所周知的優勢，即在5-15kV額定值下具有2-10kHz的工作頻率。”評論了博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “ GeneSiC最近完成了許多6.5kV / 40A的交付, 6.5kV / 60A和6.5kV / 80A晶閘管，面向進行可再生能源研究的多個客戶, 陸軍和海軍系統的應用. 具有這些額定值的SiC器件現在正在被更廣泛地提供。”

基於碳化矽的晶閘管可提供10倍的更高電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，X的開關頻率更快，工作溫度更高. 這些設備的目標應用研究機會包括通用中壓功率轉換 (直流輸電), 並網太陽能逆變器, 風電逆變器, 脈衝功率, 武器系統, 點火控制, 和触發控制. 現在已經公認超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的SiC器件可為以下器件提供最高的通態性能 >5 kV裝置, 並廣泛適用於中壓功率轉換電路，例如故障電流限制器, AC-DC轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 基於碳化矽的晶閘管與常規電網元件相似，因此也提供了儘早採用的最佳機會. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供盡可能多的服務。 25-30 通過提高電力輸送效率來減少用電量的百分比.

博士. Singh繼續說道：“在電力轉換領域的研究人員將充分意識到SiC晶閘管的優勢之後，預計固態變電站和風力渦輪發電機的大規模市場將打開。. 這些第一代SiC晶閘管使用的SiC晶閘管有史以來最低的導通狀態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對柵極控制的關斷能力和 >10kV額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓包裝解決方案, 當前的6.5kV晶閘管被封裝在具有完全焊接觸點的模塊中, 限制在150oC的結溫。” GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.

位於華盛頓附近, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超級結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的器件. GeneSiC已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC從ARPA-E贏得253萬美元，用於開發基於碳化矽晶閘管的器件

杜勒斯, VA, 九月 28, 2010 –高級研究計劃局–能源 (ARPA-E) 與GeneSiC Semiconductor領導的團隊簽訂了合作協議，以開發新型超高壓碳化矽 (碳化矽) 基於晶閘管的器件. 這些設備有望成為將大型風能和太陽能發電廠集成到下一代智能電網中的關鍵推動力.

“ GeneSiC的這一極富競爭性的獎項將使我們能夠擴大在多kV碳化矽技術方面的技術領導地位, 以及我們對採用固態解決方案的電網規模替代能源解決方案的承諾,”博士評論. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “我們正在開發的多kV SiC晶閘管是實現柔性交流輸電系統的關鍵使能技術 (事實) 元件和高壓直流 (高壓直流輸電) 構想為集成的架構, 高效的, 未來的智能電網. GeneSiC的SiC基晶閘管可提供10倍的高電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，FACTS和HVDC功率處理解決方案的X更快的開關頻率和更高的溫度操作。”

在四月份 2010, GeneSiC響應了電力技術的敏捷交付 (ADEPT) 來自ARPA-E的招標，該公司尋求投資用於高壓開關的基礎改進的材料，該材料有可能超越現有功率轉換器的性能，同時降低成本. 選擇該公司的標題為“用於中壓功率轉換的碳化矽陽極開關晶閘管”以提供輕巧的方案。, 固體狀態, 用於大功率應用（例如固態變電站和風力渦輪發電機）的中壓能量轉換. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供盡可能多的服務。 25-30 通過提高電力輸送效率來減少用電量的百分比. 選定的創新旨在支持和促進美國. 通過技術領導力開展業務, 通過高度競爭的過程.

碳化矽是下一代半導體材料，具有比傳統矽大得多的性能, 例如在高達300ºC的溫度下能夠承受十倍電壓和一百倍電流的能力. 這些特性使其非常適合混合動力和電動汽車等大功率應用, 再生能源 (風能和太陽能) 裝置, 和電網控制系統.

現在已經公認超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的SiC器件可為以下器件提供最高的通態性能 >5 kV裝置, 並廣泛適用於中壓功率轉換電路，例如故障電流限制器, AC-DC轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 基於碳化矽的晶閘管與常規電網元件相似，因此也提供了儘早採用的最佳機會. 這些設備的其他有前途的應用和優勢包括:

  • 未來海軍能力下尋求中壓直流轉換的功率管理和功率調節系統 (FNC) 美國海軍, 電磁發射系統, 高能武器系統和醫學成像. 10-100X更高的工作頻率能力實現了前所未有的尺寸改進, 重量, 數量和最終, 這種系統的成本.
  • 多種儲能, 高溫高能物理應用. 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，儲能和電網應用受到越來越多的關注.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.

“通過利用我們在設備和工藝設計方面的核心競爭力以及廣泛的製造工藝，我們已成為超高壓SiC技術的領導者, 表徵, 和測試設施,”博士總結. 辛格. “ GeneSiC的地位現在已經獲得了美國能源部的認可，並獲得了這一重要的後續獎項。”

關於GeneSiC半導體

地理位置優越，靠近華盛頓, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超級結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的器件. GeneSiC已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪www.genesicsemi.com.

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可再生能源推動力使GeneSiC Semiconductor獲美國能源部150萬美元資助

杜勒斯, VA, 十一月 12, 2008 – 美國能源部已授予GeneSiC半導體兩項單獨的贈款，總額為150萬美元，用於開發高壓碳化矽 (碳化矽) 將成為風能關鍵推動力的設備- 和太陽能與國家電網的整合.

“這些獎項表明了能源部對GeneSiC能力的信心。, 以及對替代能源解決方案的承諾,”博士說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “綜合, 高效的電網對美國的能源未來至關重要。我們正在開發的SiC器件對於克服傳統矽技術的低效率至關重要。”

第一個獎項是75萬美元的第二階段SBIR贈款，用於快速開發, 超高壓SiC雙極器件. 第二個是75萬美元的II期STTR贈款，用於開發光控大功率SiC開關.

碳化矽是下一代半導體材料，能夠處理矽的10倍電壓和100倍電流, 使其非常適合可再生能源等大功率應用 (風能和太陽能) 設施和電網控制系統.

具體來說, 這兩個獎項是為了:

  • 高頻的發展, 千伏SiC柵極截止 (GTO) 電力設備. 政府和商業應用包括船舶的電源管理和調節系統, 公用事業, 和醫學成像.
  • 光控高壓的設計與製造, 大功率SiC開關器件. 對於受到電磁干擾困擾的環境，使用光纖開關電源是理想的解決方案 (電磁干擾), 和需要超高壓的應用.

GeneSiC正在開發的SiC器件可用於各種儲能, 電網, 和軍事應用, 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，它們受到越來越多的關注.

駐華盛頓以外, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 場效應晶體管 (場效應管) 和雙極設備, 以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC擁有來自美國主要政府機構的主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC半導體獲得美國能源部SBIR和STTR多項資助

杜勒斯, VA, 十月 23, 2007 — GeneSiC半導體公司, 迅速崛起的高溫創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 宣佈在2007財年獲得了美國能源部的三項單獨的小型企業贈款. GeneSiC將使用SBIR和STTR贈款來演示用於各種能量存儲的新型高壓SiC器件, 電網, 高溫高能物理應用. 隨著世界關注更高效，更具成本效益的能源管理解決方案，儲能和電網應用受到越來越多的關注.

“我們很高興美國能源部各辦公室對我們的大功率設備解決方案表示出的信任程度. 將這些資金注入到我們先進的SiC技術計劃中，將形成行業領先的線型SiC器件,” GeneSiC總裁發表評論, 博士. 蘭比爾·辛格. “這些項目中正在開發的設備有望提供關鍵的使能技術，以支持更高效的電網, 由於現代基於矽技術的局限性，這將為尚未實現的新的商業和軍事硬件技術打開大門。”

這三個項目包括:

  • 新的I期SBIR獎項重點關注高電流, 面向儲能應用的基於多kV晶閘管的設備.
  • 美國能源部科學辦公室授予第二階段SBIR後續獎項，該獎項是針對用於高功率RF系統應用的高壓電源的多kV SiC功率器件的開發.
  • 一期STTR獎專注於光控高壓, 用於電磁干擾豐富的環境的高頻SiC功率器件, 包括高功率射頻能量系統, 和定向能量武器系統.

隨著獎項, GeneSiC最近將業務轉移到杜勒斯擴展的實驗室和辦公大樓, 弗吉尼亞州, 大幅升級設備, 基礎架構，並且正在增加其他關鍵人員.

“GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備, 通過訪問廣泛的製作套件來支持這一點, 表徵和測試設施,” 結論博士. 辛格. “我們認為這些功能已被美國能源部有效地通過這些新的和後續的獎項進行了驗證。”

有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問 www.genesicsemi.com.