Düşük Maliyetle Sunulan Genel Amaçlı Yüksek Sıcaklık SiC Transistörler ve Redresörler
Yüksek sıcaklık (>210oC) Küçük form faktörlü metal kutu paketlerindeki Bağlantı Transistörleri ve Redresörleri, amplifikasyon dahil çeşitli uygulamalar için devrim niteliğinde performans avantajları sunar, low noise circuitry and downhole…
Silisyum Karbür Bağlantı Transistörleri için Kapı Sürücü Kartı ve SPICE Modelleri (SJT) Yayınlandı
Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation DULLES,…
GeneSiC Sürümleri 25 mOhm/1700 V Silisyum Karbür Transistörler
Yüksek Frekanslı Güç Devreleri için en düşük iletim kayıpları ve üstün kısa devre özelliği sunan SiC anahtarları Dulles, Virginia., Ekim 28, 2014 — GeneSiC Yarı İletken, a pioneer and global supplier…
GeneSiC, Google / IEEE’nin Küçük Kutu Meydan Okumasını Destekliyor
GeneSiC’nin SiC Transistörü ve Doğrultucuları, Little Box Challenge State-Of-the-Art hedeflerine ulaşmada önemli avantajlar sunar. Silisyum Karbür Güç Transistörleri & Doğrultucular. Mevcut. Şimdi! GeneSiC'de bir…
Yüksek sıcaklık (210 C) Hermetik paketlerde sunulan SiC Bağlantı Transistörleri
Uyumlu endüstri standardı paketler aracılığıyla gerçekleştirilen SiC Transistörlerde yüksek sıcaklık vaadi, kuyu içi ve havacılık aktüatörlerini ve güç kaynaklarını kritik bir şekilde geliştirecektir Dulles, Virginia., Aralık 10, 2013 — GeneSiC…