DULES, VA, Ağustos 30, 2011 – Yeni Fizik, Tristörlerin Daha Yüksek Seviyeye Ulaşmasını Sağlıyor
Bir elektrik güç şebekesi, sorunsuz olmasını sağlayan elektronik cihazların yardımıyla güvenilir güç sağlar., güvenilir güç akışı. Şimdiye kadar, silikon bazlı düzeneklere güvenildi, ancak akıllı şebekenin gereksinimlerini karşılayamadılar. Silisyum karbür gibi geniş bant aralığına sahip malzemeler (SiC) daha yüksek anahtarlama hızlarına sahip oldukları için daha iyi bir alternatif sunar, daha yüksek arıza gerilimi, daha düşük anahtarlama kayıpları, ve geleneksel silikon bazlı anahtarlardan daha yüksek bağlantı sıcaklığı. Pazara ulaşan bu tür ilk SiC tabanlı cihaz, Ultra yüksek voltajlı Silisyum Karbür Tristördür. (Ranbir Singh), GeneSiC Semiconductor Inc. tarafından geliştirilmiştir., Dulles, Va., Sandia Ulusal Laboratuvarlarının desteğiyle, Albuquerque, N.M., Birleşik Devletler. Enerji/Elektrik Dağıtım Dairesi Başkanlığı, ve ABD. Ordu/Silah Araştırması, Geliştirme ve Mühendislik Merkezi, Picatinny Arsenal, NJ.
Geliştiriciler bu cihaz için farklı bir çalışma fiziği benimsedi, azınlık taşıyıcı taşımacılığı ve entegre bir üçüncü terminal doğrultucu üzerinde çalışan, diğer ticari SiC cihazlarından bir tanesi daha. Geliştiriciler, yukarıdaki derecelendirmeleri destekleyen yeni bir üretim tekniği benimsedi 6,500 V, yüksek akımlı cihazlar için yeni bir kapı anot tasarımının yanı sıra. kadar sıcaklıklarda performans gösterebilme 300 C ve akım 80 Bir, SiC Tristör 10 kat daha yüksek voltaj, dört kat daha yüksek blokaj gerilimi, ve 100 silikon bazlı tristörlerden kat daha hızlı anahtarlama frekansı.
