Yayınlanan

Yeni Fizik, Tristörün Daha Yüksek Seviyeye Ulaşmasını Sağlıyor

DULES, VA, Ağustos 30, 2011 – Yeni Fizik, Tristörlerin Daha Yüksek Seviyeye Ulaşmasını Sağlıyor

Bir elektrik güç şebekesi, sorunsuz olmasını sağlayan elektronik cihazların yardımıyla güvenilir güç sağlar., güvenilir güç akışı. Şimdiye kadar, silikon bazlı düzeneklere güvenildi, ancak akıllı şebekenin gereksinimlerini karşılayamadılar. Silisyum karbür gibi geniş bant aralığına sahip malzemeler (SiC) daha yüksek anahtarlama hızlarına sahip oldukları için daha iyi bir alternatif sunar, daha yüksek arıza gerilimi, daha düşük anahtarlama kayıpları, ve geleneksel silikon bazlı anahtarlardan daha yüksek bağlantı sıcaklığı. Pazara ulaşan bu tür ilk SiC tabanlı cihaz, Ultra yüksek voltajlı Silisyum Karbür Tristördür. (Ranbir Singh), GeneSiC Semiconductor Inc. tarafından geliştirilmiştir., Dulles, Va., Sandia Ulusal Laboratuvarlarının desteğiyle, Albuquerque, N.M., Birleşik Devletler. Enerji/Elektrik Dağıtım Dairesi Başkanlığı, ve ABD. Ordu/Silah Araştırması, Geliştirme ve Mühendislik Merkezi, Picatinny Arsenal, NJ.

Geliştiriciler bu cihaz için farklı bir çalışma fiziği benimsedi, azınlık taşıyıcı taşımacılığı ve entegre bir üçüncü terminal doğrultucu üzerinde çalışan, diğer ticari SiC cihazlarından bir tanesi daha. Geliştiriciler, yukarıdaki derecelendirmeleri destekleyen yeni bir üretim tekniği benimsedi 6,500 V, yüksek akımlı cihazlar için yeni bir kapı anot tasarımının yanı sıra. kadar sıcaklıklarda performans gösterebilme 300 C ve akım 80 Bir, SiC Tristör 10 kat daha yüksek voltaj, dört kat daha yüksek blokaj gerilimi, ve 100 silikon bazlı tristörlerden kat daha hızlı anahtarlama frekansı.

Yayınlanan

GeneSiC prestijli R'yi kazandı&Şebekeye Bağlı Güneş ve Rüzgar Enerjisi Uygulamalarında SiC Cihazları için D100 Ödülü

DULES, VA, Temmuz 14, 2011 — r&D Magazine, GeneSiC Semiconductor Inc'i seçti. Dulles, prestijli bir alıcı olarak VA 2011 r&NS 100 Yüksek voltaj değerlerine sahip Silisyum Karbür cihazlarının ticarileştirilmesi ödülü.

GeneSiC Semiconductor Inc, Silisyum Karbür tabanlı güç cihazlarında önemli bir yenilikçi, geçen hafta prestijli ödüle layık görüldüğünü duyurarak onurlandırıldı. 2011 r&NS 100 ödül. Bu ödül, GeneSiC'yi en önemlilerinden birini tanıttığı için tanır., sırasında birden fazla disiplin arasında yeni tanıtılan araştırma ve geliştirme ilerlemeleri 2010. r&D Magazine, GeneSiC'in Ultra Yüksek Voltajlı SiC Tristörünü, güç elektroniği gösterileri için daha önce hiç kullanılmamış olan engelleme voltajlarını ve frekanslarını elde etme yeteneği nedeniyle tanıdı.. voltaj değerleri >6.5kV, durum geçerli derecelendirme 80 A ve çalışma frekansları >5 kHz, daha önce piyasaya sunulanlardan çok daha yüksektir. GeneSiC'nin Tristörleri tarafından elde edilen bu yetenekler, kritik olarak güç elektroniği araştırmacılarının şebekeye bağlı invertörler geliştirmelerini sağlar., Esnek

AC İletim Sistemleri (GERÇEKLER) ve Yüksek Gerilim DC Sistemleri (HVDC). Bu, yenilenebilir enerji içinde yeni buluşlara ve ürün geliştirmelerine izin verecektir., güneş invertörleri, rüzgar enerjisi invertörleri, ve enerji depolama endüstrileri. Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı, “Güç dönüştürme alanındaki araştırmacıların SiC Tristörlerin faydalarını tam olarak fark etmesinin ardından katı hal elektrik trafo merkezlerinde ve rüzgar türbini jeneratörlerinde büyük ölçekli pazarların açılması bekleniyor.. Bu birinci nesil SiC Tristörler, SiC Tristörlerde şimdiye kadar elde edilen en düşük durumsal voltaj düşüşünü ve diferansiyel açık dirençleri kullanır.. Kapı kontrollü Kapatma özelliği ve darbeli güç kapasitesi için optimize edilmiş gelecek nesil SiC Tristörleri piyasaya sürmeyi amaçlıyoruz ve >10kV değerleri. Yüksek sıcaklıkta ultra yüksek voltajlı paketleme çözümleri geliştirmeye devam ederken, mevcut 6.5kV Tristörler, tamamen lehimli kontaklara sahip modüller halinde paketlenmiştir, 150oC bağlantı sıcaklıkları ile sınırlıdır. Bu ürün Ekim ayında piyasaya çıktığından beri 2010, GeneSiC, bu Silisyum Karbür Tristörleri kullanan gelişmiş güç elektroniği donanımının gösterilmesi için birden fazla müşteriden sipariş aldı. GeneSiC, Silisyum Karbür Tristör ürünleri ailesini geliştirmeye devam ediyor. R&Güç dönüştürme uygulamaları için erken sürümde D, ABD Departmanı'ndan SBIR finansman desteği ile geliştirildi. enerjinin. Daha ileri, Darbeli Güç optimize edilmiş SiC Tristörler, ARDEC ile yapılan başka bir SBIR sözleşmesi kapsamında geliştiriliyor, Amerikan ordusu. Bu teknik gelişmeleri kullanmak, GeneSiC'den dahili yatırım ve birden fazla müşteriden gelen ticari siparişler, GeneSiC, bu UHV Tristörlerini ticari ürünler olarak sunabildi.

R tarafından düzenlenen 49. yıllık teknoloji yarışması&D Magazine, çeşitli şirketlerden ve sektör oyuncularından gelen girdileri değerlendirdi, dünyadaki araştırma kuruluşları ve üniversiteler. Derginin editörleri ve dışarıdan uzmanlardan oluşan bir kurul hakim olarak görev yaptı, Her girişi bilim ve araştırma dünyası için önemi açısından değerlendirmek.

R'ye göre&D Dergisi, R kazanmak&NS 100 Ödül, endüstri tarafından bilinen bir mükemmellik işareti sağlar, hükümet, ve akademi, ürünün yılın en yenilikçi fikirlerinden biri olduğunun kanıtı olarak. Bu ödül, GeneSiC'i çalışma ve yaşama şeklimizde fark yaratan teknoloji tabanlı ürünlerin yaratılmasında küresel bir lider olarak tanır..

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.

Yayınlanan

Çok kHz, ABD Araştırmacılarına örneklenen Ultra Yüksek Voltajlı Silisyum Karbür Tristörler

DULES, VA, Kasım 1, 2010 –Türünün ilk örneği, GeneSiC Semiconductor, Akıllı Şebeke uygulamaları için güç elektroniğinde kullanım için bir 6.5kV SCR-modu Silisyum Karbür Tristör ailesinin kullanılabilirliğini duyurdu. Bu güç cihazlarının devrim niteliğindeki performans avantajlarının, Dağıtılmış Enerji Kaynaklarının erişilebilirliğini ve kullanımını artırmak için şebeke ölçeğindeki güç elektroniği donanımında önemli yenilikleri teşvik etmesi bekleniyor. (NS). "Şimdiye kadar, çok kV Silisyum Karbür (SiC) güç cihazları, SiC tabanlı güç cihazlarının iyi bilinen avantajlarından, yani 5-15kV değerlerinde 2-10kHz çalışma frekanslarından tam olarak yararlanmak için ABD'li araştırmacıların kullanımına açık değildi.” yorum yapan Dr.. Ranbir Singh, GeneSiC Başkanı. “GeneSiC kısa süre önce birçok 6.5kV/40A'nın teslimatını tamamladı, 6.5Yenilenebilir enerji konusunda araştırma yapan birden fazla müşteriye kV/60A ve 6.5kV/80A Tristörler, Ordu ve Deniz güç sistemi uygulamaları. Bu derecelendirmelere sahip SiC cihazları artık daha yaygın olarak sunuluyor.”

Silisyum Karbür bazlı Tristörler 10 kat daha yüksek voltaj sunar, 100Geleneksel Silikon bazlı Tristörlere kıyasla X daha hızlı anahtarlama frekansları ve daha yüksek sıcaklıkta çalışma. Bu cihazlar için hedeflenen uygulama araştırma fırsatları, genel amaçlı orta gerilim güç dönüşümünü içerir (MVDC), Şebekeye bağlı solar inverterler, rüzgar enerjisi invertörleri, darbeli güç, silah sistemleri, ateşleme kontrolü, ve tetik kontrolü. Artık, ultra yüksek voltajın (>10kV) Silisyum Karbür (SiC) cihaz teknolojisi, yeni nesil elektrik şebekesinde devrim niteliğinde bir rol oynayacak. Tristör tabanlı SiC cihazları, aşağıdakiler için en yüksek durum performansını sunar: >5 kV cihazları, ve Hata-Akım Sınırlayıcıları gibi orta gerilim güç dönüştürme devrelerine yaygın olarak uygulanabilir, AC-DC dönüştürücüler, Statik VAR dengeleyiciler ve Seri Dengeleyiciler. SiC tabanlı Tristörler ayrıca geleneksel elektrik şebekesi elemanlarına benzerlikleri nedeniyle erken kabul için en iyi şansı sunar.. Bu gelişmiş güç yarı iletken teknolojilerinin uygulanması, 25-30 elektrik enerjisi dağıtımında artan verimlilik yoluyla elektrik tüketiminde yüzde azalma.

Dr.. Singh sözlerine şöyle devam ediyor: “Güç dönüştürme alanındaki araştırmacıların SiC Tristörlerin faydalarını tam olarak fark etmesinin ardından katı hal elektrik trafo merkezlerinde ve rüzgar türbini jeneratörlerinde büyük ölçekli pazarların açılması bekleniyor.. Bu birinci nesil SiC Tristörler, SiC Tristörlerde şimdiye kadar elde edilen en düşük durumsal voltaj düşüşünü ve diferansiyel açık dirençleri kullanır.. Kapı kontrollü Kapatma özelliği için optimize edilmiş gelecek nesil SiC Tristörleri piyasaya sürmeyi amaçlıyoruz ve >10kV değerleri. Yüksek sıcaklıkta ultra yüksek voltajlı paketleme çözümleri geliştirmeye devam ederken, mevcut 6.5kV Tristörler, tamamen lehimli kontaklara sahip modüller halinde paketlenmiştir, 150oC bağlantı sıcaklıkları ile sınırlıdır. GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.

Washington'un yakınında bulunan, Dulles'daki DC, Virjinya, GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar. Mevcut geliştirme projeleri arasında yüksek sıcaklık redresörleri bulunmaktadır., SuperJunction Transistörler (SJT) ve çok çeşitli Tristör tabanlı cihazlar. GeneSiC, büyük ABD Devlet kurumlarından asal/alt sözleşmelere sahiptir veya olmuştur, Enerji Bakanlığı dahil, Donanma, Ordu, DARPA, ve İç Güvenlik Bakanlığı. Şirket şu anda önemli bir büyüme yaşıyor, ve güç cihazı ve dedektör tasarımında kalifiye personel işe almak, yapılışı, ve test. Daha fazla bilgi edinmek için, lütfen ziyaret edin www.genesicsemi.com.