AN-10A Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) Hazır Silikon IGBT Kapı Sürücüleriyle: Tek Seviyeli Sürücü Konsepti
AN-10B Sürüş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT): İki Seviyeli Kapı Tahrik Konsepti
Çift Darbe Anahtarlama Kartı
Çift Darbe Anahtarlama Kartı
Yüksek Güç Kapısı Sürücü Kartı
Yüksek Güç Kapısı Sürücü Kartı
Düşük Güç Kapısı Sürücü Kartı
Düşük Güç Kapısı Sürücü Kartı
1200 V sınıfı 4H-SiC “Süper” Mevcut Kazançları Olan Kavşak Transistörleri 88 ve Ultra hızlı Anahtarlama özelliği
200 V SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri 250 ° C güç dönüştürme uygulamaları için son derece düşük enerji kayıpları
SiC'nin yüksek sıcaklık vaadinden yararlanmak
SiC'nin yüksek sıcaklık vaadinden yararlanmak