Yayınlanan 2019-06-102019-06-101200 V SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri 250 ° C güç dönüştürme uygulamaları için son derece düşük enerji kayıpları kasım, 2011 1200 V SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri 250 ° C güç dönüştürme uygulamaları için son derece düşük enerji kayıpları
Yayınlanan 2019-06-102019-06-10SiC'nin yüksek sıcaklık vaadinden yararlanmak Şubat, 2012 SiC'nin yüksek sıcaklık vaadinden yararlanmak
Yayınlanan 2019-06-102019-06-10Silisyum Karbür “Süper” 500 ° C'de Çalışan Bağlantı Transistörleri Nis, 2012 Silisyum Karbür “Süper” 500 ° C'de Çalışan Bağlantı Transistörleri
Yayınlanan 2019-06-102019-06-10SiC “Süper” Birleşim Transistörlerinin Çeşitli Sıcaklıklarda Uzun Süreli DC ve Darbeli Çalışma Altında Elektriksel Özelliklerinin Kararlılığı Mayıs, 2012 SiC “Süper” Birleşim Transistörlerinin Çeşitli Sıcaklıklarda Uzun Süreli DC ve Darbeli Çalışma Altında Elektriksel Özelliklerinin Kararlılığı
Yayınlanan 2019-06-102019-06-10Ultra Hızlı SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri (< 15 ns) Anahtarlama Yeteneği Mayıs, 2012 Ultra Hızlı SiC "Süper" Bağlantı Transistörleri (< 15 ns) Anahtarlama Yeteneği
Yayınlanan 2019-06-102019-06-10Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs Ekim, 2012 Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs
Yayınlanan 2019-06-102019-06-1010 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics Mayıs, 2013 10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
Yayınlanan 2019-06-102019-06-10Akım Kazancı Sağlayan Hızla Olgunlaşan SiC Bağlantı Transistörleri (b) > 130, Şuna Kadar Engelleme Gerilimleri 2700 V ve Kararlı Uzun Vadeli Operasyon Ekim, 2013 Akım Kazancı Sağlayan Hızla Olgunlaşan SiC Bağlantı Transistörleri (b) > 130, Şuna Kadar Engelleme Gerilimleri 2700 V ve Kararlı Uzun Vadeli Operasyon
Yayınlanan 2019-06-102019-06-10Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation Nis, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
Yayınlanan 2019-06-102019-06-10Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers Haz, 2014 Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers