Applikationsanmärkningar:
AN-1 1200 V Schottky-dioder med temperaturvarierande barriärhöjder och idealitetsfaktorer
Okt 2010 AN-1 1200 V Schottky-dioder med temperaturvarierande barriärhöjder och idealitetsfaktorer
AN-2 1200 V SiC JBS-dioder med extremt låg kapacitiv laddning för omvänd återhämtning för applikationer med snabb växling
Okt 2010 AN-2 1200 V SiC JBS-dioder med extremt låg kapacitiv laddning för omvänd återhämtning för applikationer med snabb växling
AN1001 SiC Power Diode Pålitlighet
september, 2018AN1001 SiC Power Diode Pålitlighet
AN1002 Förstå databladet för en SiC Power Schottky-diod
september, 2018AN1002 Förstå databladet för en SiC Power Schottky-diod
AN1003 SPICE-modellinstruktioner
december, 2018AN1003 SPICE-modellinstruktioner
Tekniska artiklar:
Högeffektiv SiC PiN-likriktare
Dec, 2005 Högeffektiv SiC PiN-likriktare
SiC PiN-likriktare med hög effekt
Juni, 2007 SiC PiN-likriktare med hög effekt
Snabb neutrondetektering med halvisolerande detektorer av kiselkarbid
Juni, 2008 Snabb neutrondetektering med halvisolerande detektorer av kiselkarbid
Utveckling av strålningsdetektorer baserat på halvisolerande kiselkarbid
Okt, 2008 Utveckling av strålningsdetektorer baserat på halvisolerande kiselkarbid
Korrelation mellan bärarrekombinationens livslängd och framåt spänningsfall i 4H-SiC PiN-dioder
Sept, 2010 Korrelation mellan bärarrekombinationens livslängd och framåt spänningsfall i 4H-SiC PiN-dioder
