Applikationsanmärkningar:
- Kommer snart
Tekniska artiklar:
Framväxande kiselkarbidkraftenheter möjliggör revolutionerande förändringar i högspänningsomvandling
Okt, 2004Framväxande kiselkarbidkraftenheter möjliggör revolutionerande förändringar i högspänningsomvandling
Tillförlitlighet hos SiC MOS-enheter
Okt, 2004Tillförlitlighet hos SiC MOS-enheter
Nya SiC MOS-bipolära switchar för >10 kV-applikationer
Maj, 2006Nya SiC MOS-bipolära switchar för >10 kV-applikationer
Tillförlitlighet och prestandabegränsningar i SiC-kraftenhet
Juni, 2006Tillförlitlighet och prestandabegränsningar i SiC-kraftenheter
En 10 kV storarea 4H-SiC Power DMOSFET med stabilt undertröskelbeteende oberoende av temperatur
aug, 2008En 10 kV storarea 4H-SiC Power DMOSFET med stabilt undertröskelbeteende oberoende av temperatur