DULLES, VA, Oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en snabbt växande innovatör av hög temperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, meddelade att det har tilldelats tre separata småföretagsanslag från US Department of Energy under FY07. SBIR- och STTR-bidragen kommer att användas av GeneSiC för att demonstrera nya högspännings-SiC-enheter för en mängd olika energilagring, Kraftnät, högtemperatur- och högenergifysikapplikationer. Energilagring och kraftnätsapplikationer får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.
“Vi är nöjda med det förtroende som olika kontor inom det amerikanska energidepartementet uttryckt med avseende på våra högeffektslösningar. Att injicera denna finansiering i våra avancerade SiC-teknologiprogram kommer att resultera i en branschledande linje SiC-enheter,” kommenterade GeneSiC:s ordförande, Gå till Kontakt. Ranbir Singh. “De enheter som utvecklas i dessa projekt lovar att tillhandahålla kritisk möjliggörande teknologi för att stödja ett mer effektivt elnät, och kommer att öppna dörren till ny kommersiell och militär hårdvaruteknik som har förblivit orealiserad på grund av begränsningarna hos samtida kiselbaserad teknik.”
De tre projekten inkluderar:
- En ny Fas I SBIR-utmärkelse fokuserad på starkström, multi-kV tyristorbaserade enheter inriktade på energilagringstillämpningar.
- En uppföljande utmärkelse för fas II SBIR för utveckling av multi-kV SiC-kraftenheter för högspänningsaggregat för högeffekts RF-systemtillämpningar tilldelad av DOE Office of Science.
- En Fas I STTR-utmärkelse fokuserad på optiskt grindad högspänning, högfrekventa SiC-kraftenheter för miljöer rika på elektromagnetiska störningar, inklusive högeffekts RF-energisystem, och riktade energivapensystem.
Tillsammans med utmärkelserna, GeneSiC har nyligen flyttat verksamheten till ett utökat laboratorie- och kontorshus i Dulles, Virginia, avsevärt uppgradera sin utrustning, infrastruktur och håller på att lägga till ytterligare nyckelpersoner.
“GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder, backar upp det med tillgång till en omfattande serie tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar,” avslutade Dr. Singh. “Vi anser att dessa förmågor har validerats effektivt av US DOE med dessa nya och uppföljande utmärkelser.”
Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besöka www.genesicsemi.com.
