Publicerat den

Förnybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 miljoner från US Department of Energy

DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanska energidepartementet har tilldelat GeneSiC Semiconductor två separata anslag på totalt 1,5 miljoner USD för utveckling av högspännings kiselkarbid (Sic) enheter som kommer att fungera som viktiga möjliggörare för vind- och solenergiintegration med landets elnät.

"Dessa utmärkelser visar DOE:s förtroende för GeneSiC:s kapacitet, samt dess engagemang för alternativa energilösningar,” noterar Dr. Ranbir Singh, president för GeneSiC. ”En integrerad, Effektivt elnät är avgörande för landets energiframtid - och SiC-enheterna vi utvecklar är avgörande för att övervinna ineffektiviteten hos konventionell kiselteknologi."

Den första utmärkelsen är ett fas II SBIR-bidrag på $750 000 för utveckling av snabba, ultrahögspänning SiC bipolära enheter. Den andra är ett fas II STTR-anslag på $750 000 för utveckling av optiskt grindade SiC-switchar med hög effekt.

Kiselkarbid är ett nästa generations halvledarmaterial med förmågan att hantera 10x spänningen och 100x strömmen av kisel, vilket gör den idealisk för applikationer med hög effekt som förnybar energi (vind och sol) installationer och styrsystem för elnät.

Specifikt, de två utmärkelserna är för:

  • Utveckling av högfrekventa, multikilovolt SiC gate-avstängning (GTO) kraftenheter. Offentliga och kommersiella tillämpningar inkluderar krafthanterings- och konditioneringssystem för fartyg, bruksindustrin, och medicinsk bildbehandling.
  • Design och tillverkning av optiskt grindad högspänning, högeffekt SiC-växlingsenheter. Att använda fiberoptik för att byta ström är en idealisk lösning för miljöer som plågas av elektromagnetiska störningar (EMI), och applikationer som kräver ultrahöga spänningar.

SiC-enheterna som GeneSiC utvecklar tjänar en mängd olika energilagringar, Kraftnät, och militära tillämpningar, som får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

Baserad utanför Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter. Pågående utvecklingsprojekt inkluderar högtemperaturlikriktare, fälteffekttransistorer (FET) och bipolära enheter, såväl som partikel & fotoniska detektorer. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive energidepartementet, Marin, DARPA, och Department of Homeland Security. Företaget upplever för närvarande en betydande tillväxt, och anställa kvalificerad personal inom design av kraftenheter och detektorer, tillverkning, och testning. För att få reda på mer, besök www.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC Semiconductor belönades med flera US Department of Energy SBIR och STTR Grants

DULLES, VA, Oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en snabbt växande innovatör av hög temperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, meddelade att det har tilldelats tre separata småföretagsanslag från US Department of Energy under FY07. SBIR- och STTR-bidragen kommer att användas av GeneSiC för att demonstrera nya högspännings-SiC-enheter för en mängd olika energilagring, Kraftnät, högtemperatur- och högenergifysikapplikationer. Energilagring och kraftnätsapplikationer får allt större uppmärksamhet när världen fokuserar på mer effektiva och kostnadseffektiva energihanteringslösningar.

“Vi är nöjda med det förtroende som olika kontor inom det amerikanska energidepartementet uttryckt med avseende på våra högeffektslösningar. Att injicera denna finansiering i våra avancerade SiC-teknologiprogram kommer att resultera i en branschledande linje SiC-enheter,” kommenterade GeneSiC:s ordförande, Gå till Kontakt. Ranbir Singh. “De enheter som utvecklas i dessa projekt lovar att tillhandahålla kritisk möjliggörande teknologi för att stödja ett mer effektivt elnät, och kommer att öppna dörren till ny kommersiell och militär hårdvaruteknik som har förblivit orealiserad på grund av begränsningarna hos samtida kiselbaserad teknik.”

De tre projekten inkluderar:

  • En ny Fas I SBIR-utmärkelse fokuserad på starkström, multi-kV tyristorbaserade enheter inriktade på energilagringstillämpningar.
  • En uppföljande utmärkelse för fas II SBIR för utveckling av multi-kV SiC-kraftenheter för högspänningsaggregat för högeffekts RF-systemtillämpningar tilldelad av DOE Office of Science.
  • En Fas I STTR-utmärkelse fokuserad på optiskt grindad högspänning, högfrekventa SiC-kraftenheter för miljöer rika på elektromagnetiska störningar, inklusive högeffekts RF-energisystem, och riktade energivapensystem.

Tillsammans med utmärkelserna, GeneSiC har nyligen flyttat verksamheten till ett utökat laboratorie- och kontorshus i Dulles, Virginia, avsevärt uppgradera sin utrustning, infrastruktur och håller på att lägga till ytterligare nyckelpersoner.

“GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder, backar upp det med tillgång till en omfattande serie tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar,” avslutade Dr. Singh. “Vi anser att dessa förmågor har validerats effektivt av US DOE med dessa nya och uppföljande utmärkelser.”

Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besöka www.genesicsemi.com.