Publicerat den 2019-06-102020-05-111200 V-klass 4H-SiC “Super” Junction transistorer med strömförstärkningar på 88 och ultrasnabb växlingsförmåga Sept, 2011 1200 V-klass 4H-SiC “Super” Junction transistorer med strömförstärkningar på 88 och ultrasnabb växlingsförmåga
Publicerat den 2019-06-102020-05-11200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer nov, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer
Publicerat den 2019-06-102020-05-11Utnyttjar det höga temperaturlöftet om SiC feb, 2012 Utnyttjar det höga temperaturlöftet om SiC
Publicerat den 2019-06-102020-05-11Kiselkarbid “Super” Junction Transistorer som arbetar vid 500°C apr, 2012 Kiselkarbid “Super” Junction Transistorer som arbetar vid 500°C
Publicerat den 2019-06-102020-05-11Stabilitet för elektriska egenskaper hos SiC "Super" Junction Transistorer under långvarig DC och pulsad drift vid olika temperaturer Maj, 2012 Stabilitet för elektriska egenskaper hos SiC "Super" Junction Transistorer under långvarig DC och pulsad drift vid olika temperaturer
Publicerat den 2019-06-102020-05-11SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability Maj, 2012 SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability
Publicerat den 2019-06-102020-05-11Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs Okt, 2012 Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs
Publicerat den 2019-06-102020-05-1110 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics Maj, 2013 10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
Publicerat den 2019-06-102020-05-11Snabbt mogna SiC Junction-transistorer med strömförstärkning (b) > 130, Blockera spänningar upp till 2700 V och stabil långvarig drift Okt, 2013 Snabbt mogna SiC Junction-transistorer med strömförstärkning (b) > 130, Blockera spänningar upp till 2700 V och stabil långvarig drift
Publicerat den 2019-06-102020-05-11Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation apr, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation