Publicerat den 2019-06-102020-05-11 förbi Redaktör 0200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer nov, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistorer som arbetar vid 250 °C med extremt låga energiförluster för kraftomvandlingsapplikationer