Notas de aplicação:
AN-1 1200 Diodos V Schottky com alturas de barreira invariáveis de temperatura e fatores de idealidade
Out 2010 AN-1 1200 Diodos V Schottky com alturas de barreira invariáveis de temperatura e fatores de idealidade
AN-2 1200 Diodos V SiC JBS com carga de recuperação reversa capacitiva ultrabaixa para aplicações de comutação rápida
Out 2010 AN-2 1200 Diodos V SiC JBS com carga de recuperação reversa capacitiva ultrabaixa para aplicações de comutação rápida
AN1001 SiC Confiabilidade do Diodo de Energia
setembro, 2018AN1001 SiC Confiabilidade do Diodo de Energia
AN1002 Compreendendo a folha de dados de um diodo SiC Power Schottky
setembro, 2018AN1002 Compreendendo a folha de dados de um diodo SiC Power Schottky
Instruções de uso do modelo AN1003 SPICE
dezembro, 2018Instruções de uso do modelo AN1003 SPICE
Artigos Técnicos:
Retificadores SiC PiN de alta potência
Dez, 2005 Retificadores SiC PiN de alta potência
Retificadores SiC PiN de alta potência
Junho, 2007 Retificadores SiC PiN de alta potência
Detecção rápida de nêutrons com detectores semi-isolantes de carboneto de silício
Junho, 2008 Detecção rápida de nêutrons com detectores semi-isolantes de carboneto de silício
Desenvolvimento de detectores de radiação baseados em carboneto de silício semisolante
Out, 2008 Desenvolvimento de detectores de radiação baseados em carboneto de silício semisolante
Correlação entre vida de recombinação de portadora e queda de tensão direta em diodos 4H-SiC PiN
Setembro, 2010 Correlação entre vida de recombinação de portadora e queda de tensão direta em diodos 4H-SiC PiN
