postado em 2019-06-102020-05-11 por Editor0AN-2 1200 Diodos V SiC JBS com carga de recuperação reversa capacitiva ultrabaixa para aplicações de comutação rápida Out 2010AN-2 1200 Diodos V SiC JBS com carga de recuperação reversa capacitiva ultrabaixa para aplicações de comutação rápida