MOSFETs de SiC de 6,5 kV líderes da indústria da GeneSiC – a vanguarda para uma nova onda de aplicativos
DULLES, VA, Outubro 20, 2020 — A GeneSiC lança MOSFETs de carboneto de silício de 6,5 kV para liderar na entrega de níveis de desempenho sem precedentes, eficiência e confiabilidade em aplicações de conversão de energia de média tensão…
GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC
DULLES, VA, dezembro 5, 2019 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio para o desenvolvimento de SiC-Based…
Sistemas de energia de Bodo (Pg 46)
Posso, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diodo Copack para aplicações eletrônicas de potência
Tecnologia Power Electronics (Pg 36)
Julho, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diodo Copack reduz as perdas de comutação
Sistemas de energia de Bodo (Pg 36)
Outubro, 2011 – Desempenho elétrico inovador em alta temperatura de transistores de junção “Super” de SiC