Tecnologia Power Electronics (Pg 21)
novembro, 2011 – Transistores de junção SiC “Super” oferecem desempenho inovador em alta temperatura
Tecnologia Power Electronics
Fevereiro, 2012 – SiC: Um composto semicondutor de potência robusto a ser considerado
Sistemas de energia de Bodo (Pg 44)
Fevereiro, 2012 – Tiristores de carboneto de silício inauguram a revolução da rede inteligente
Revista de Semicondutores Compostos (Pg 33)
Março, 2012 – Eletrônica SiC: Explorando promessas de alta temperatura
Bodo’s Power System publica artigo editorial da GeneSiC (Pg 16)
Junho 19, 2013 – Dirigindo e usando switches SiC emergentes