Um DMOSFET de energia 4H-SiC de área grande de 10 kV com comportamento de sublimiar estável independente da temperatura
Agosto, 2008Um DMOSFET de energia 4H-SiC de área grande de 10 kV com comportamento de sublimiar estável independente da temperatura
Capacidade de alta corrente 650V, 1200Diodos V e 1700V SiC Schottky MPS ™ no pacote mini-módulo SOT-227
DULLES, VA, Posso 11, 2019 — GeneSiC torna-se líder de mercado em capacidade de alta corrente (100 A e 200 UMA) Diodos schottky SiC no minimódulo SOT-227 GeneSiC introduziu GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC lança 1700V SiC Schottky MPS de melhor desempenho da indústria™ diodos
DULLES, VA, Janeiro 7, 2019 — GeneSiC releases a comprehensive portfolio of its third generation 1700V SiC Schottky MPS™ diodes in TO-247-2 package GeneSiC has introduced GB05MPS17-247, Transporte, GB25MPS17-247 and…
GeneSiC entrevistado no PCIM 2016 em nuremberg, Alemanha
Entrevistas de projeto de sistema de energia GeneSiC Nuremberg, Alemanha maio 12, 2016 — O presidente da GeneSiC Semiconductor foi entrevistado por Alix Paultre, da Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) no show PCIM em Nuremberg,…
Transistores-diodos de junção de carboneto de silício oferecidos em um 4 Mini-módulo com chumbo
Combinação de transistor-diodo SiC co-embalado em um robusto, isolado, 4-Com chumbo, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters DULLES, VA, Posso 13, 2015…
