postado em 2019-06-102020-05-11 por Editor0Um DMOSFET de energia 4H-SiC de área grande de 10 kV com comportamento de sublimiar estável independente da temperatura Agosto, 2008Um DMOSFET de energia 4H-SiC de área grande de 10 kV com comportamento de sublimiar estável independente da temperatura