Wysokotemperaturowe tranzystory i prostowniki SiC ogólnego przeznaczenia oferowane po niskich kosztach
Wysoka temperatura (>210oC) Tranzystory połączeniowe i prostowniki w małych obudowach z puszek metalowych oferują rewolucyjne korzyści w zakresie wydajności w różnych zastosowaniach, w tym wzmacnianiu, low noise circuitry and downhole…
Płytka sterownika bramki i modele SPICE dla tranzystorów złączowych z węglika krzemu (SJT) Wydany
Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation DULLES,…
Wydania GeneSiC 25 Tranzystory z węglika krzemu mOhm / 1700 V.
SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits Dulles, Wirginia., Październik 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier…
GeneSiC wspiera wyzwanie Little Box Challenge Google / IEEE
GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifiers offer significant advantages towards achieving the goals of the Little Box Challenge State-Of-the Art. Tranzystory mocy z węglika krzemu & Prostowniki. Dostępny. Teraz! GeneSiC has a…
Wysoka temperatura (210 C) Tranzystory złączowe SiC oferowane w hermetycznych opakowaniach
The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies Dulles, Wirginia., Dec 10, 2013 — GeneSiC…