Rozwój detektorów promieniowania opartych na półizolacyjnym węgliku krzemu
Październik, 2008 Rozwój detektorów promieniowania opartych na półizolacyjnym węgliku krzemu
Korelacja między czasem życia rekombinacji nośnej a spadkiem napięcia przewodzenia w diodach 4H-SiC PiN
wrzesień, 2010 Korelacja między czasem życia rekombinacji nośnej a spadkiem napięcia przewodzenia w diodach 4H-SiC PiN
Zestawy hybrydowe Si-IGBT/SiC Rectifier i prostowniki SiC JBS
wrzesień, 2011 Zestawy hybrydowe Si-IGBT/SiC Rectifier i prostowniki SiC JBS
12.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników
wrzesień, 2011 12.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników
1200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza
lipiec, 2012 1200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza